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中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院微电子研究所专利：一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料，在其已经实现大规模产业化应用的今天，氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义，日久弥新。近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心科研团队合作，在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。为解决上述学术争议提供了直接证据，澄清了氮化物生长...
南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授联合多伦多大学吕正红院士课题组发表关于钙钛矿光电子器件表界面研究进展的重要综述性文章（图）
南方科技大学深港微电子学院 于洪宇 多伦多大学 吕正红 钙钛矿光电子器件 表界面
2021/6/23
近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组与加拿大多伦多大学吕正红教授（南方科技大学和云南大学访问教授）课题组合作，系统总结了光电子器件中钙钛矿半导体表界面的原子排列、缺陷态以及能带结构，并首次拓展讨论了基于界面间隙态理论的能级排列基本物理和关键方程，最后结合当前研究进展提出适用于钙钛矿异质结钝化的能带构型，相关成果以“Recent Progress on Perovskite Surfac...