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中国科学院微电子研究所在氮化镓界面编辑方面取得新进展（图）
氮化镓 界面编辑 SiNx/GaN界面晶化
2021/2/24
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所刘长松研究员团队、微电子所先导中心工艺平台合作在GaN界面编辑领域取得了新进展，揭示了低压化学气相沉积（LPCVD）SiNx/GaN界面晶化的形成机理，在理论上创新定义了θ-Ga2O3结构，并将1ML θ-Ga2O3薄层插入界面调控未饱和原子化学键，进而有效抑制了界面带隙电子态密度。