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加速器中子源大厅内散射中子分布的模拟
散射中子 MCNP5 加速器中子源 中子散射截面
2020/7/20
本文针对加速器中子源可在较宽能量区间产生单能中子的特点，采用MCNP5对0.2～20 MeV的源中子在加速器中子源大厅内的散射情况进行模拟计算和分析。结果表明，直射中子通量随离源距离的增大呈平方反比衰减，散射中子通量则随离源距离的增大而几乎保持不变；大厅内的散射中子主要来自墙壁的贡献，离墙壁越近散射率越高。能量为0.4 MeV和1 MeV的源中子散射率最高，10 MeV和15 MeV的源中子散射率...
厚靶T(d,n)4He反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布
加速器 厚靶T
2008/12/3
本文给出一种氚钛厚靶氘氚反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布的计算方法，并开发了相应的计算模拟程序。用自行开发的计算程序计算了入射氘束流能量低于1.0MeV时加速器中子源的中子产额、能谱和角分布，给出了氚钛厚靶的一些典型计算结果，并对结果的可靠性进行分析。