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随着国际半导体行业已经进入了“后摩尔时代”，对微电子新材料和新器件的研发提出了更高要求。以过渡金属硫族化合物（MoS2、WS2等）和黑磷等为代表的二维半导体材料，具有原子级厚度和丰富的能带结构，而且其平面制造工艺与现有的CMOS工艺相兼容，吸引了微电子学术和产业界的广泛关注。对我国当前半导体形势来说，发展基于二维半导体的芯片工艺也具有极其重要的战略意义。