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南京大学物理学院张鹏课题组发现一种新的激子绝缘体单晶候选材料（图）
激子 绝缘体 单晶候选材料
2024/3/20
近日，南京大学物理学院张鹏课题组利用激光以及同步辐射角分辨光电子能谱（ARPES）揭示了Ta2Pd3Te5单晶材料中存在随温度变化的自发能隙打开行为，电子衍射显示此能隙的打开同时伴随着微弱的晶格畸变，同时进一步的观测发现该能隙会被表面钾掺杂破坏以及能隙内存在一对杂质平带，这些表现与激子态的信号高度一致，表明该材料非常有可能是一种新的激子绝缘体单晶材料。
中国科学院国家纳米科学中心刘新风团队联合北京师范大学张文凯团队和北京大学张青团队研究了机械剥离的InSe中面外激子的荧光发射增强，最大增强因子达34000，为面外激子光学性能的调控和面外偶极取向的集成光子设备的设计奠定了基础。相关成果发表在《纳米快报》（Nano Letters）上。
科研人员首次在拓扑绝缘体中制造出激子
拓扑绝缘体 激子 光控电脑芯片 量子技术
2023/2/6
德国“维尔茨堡-德累斯顿卓越集群—量子物质复杂性和拓扑结构”(ct.qmat)的科研人员在拓扑绝缘体中制造出了激子，有助于新一代光控电脑芯片和量子技术研究。相关研究已发表在《自然通讯》杂志。
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室与上海电力大学等机构合作在二维锡基钙钛矿中激子超快弛豫动力学研究方面取得新进展。研究团队揭示了二维锡基钙钛矿的发光机理，证实了缺陷散射引起的变形势主导了激子带间弛豫的物理过程。相关成果发表于Nature Communications。二维层状钙钛矿凭借强空间量子限制效应与弱介电屏蔽效应，激子结合能在室温下可以达到几百meV，是研究激子超...
中国科学院上海光学精密机械研究所揭示了在单层二维过渡金属硫系化合物（TMDs）的缺陷态密度调控激子湮灭(EEA)物理过程的研究方面取得进展（图）
单原子层TMDs 激子弛豫过程 激光器件
2021/10/29
单原子层TMDs凭借其自身具有的强空间量子限制效应与弱介电屏蔽效应，使得材料中的激子结合能在室温下达到几百meV，是研究激子超快物理过程的理想材料平台。然而，基于单原子层TMDs的发光器件，特别是应用于高激子密度的激光器件时，器件的发光效率差。目前研究成果归因于高密度的缺陷引起了激子的无辐射复合过程，而忽略了在高激子密度时缺陷对EEA物理过程影响。该研究团队利用飞秒瞬态吸收光谱系统地研究了四种CV...
中国科学技术大学第一性原理激子动力学研究中取得新进展（图）
中国科学技术大学 第一性 原理 激子动力学
2021/3/8
近日，来自中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心，国际功能材料量子设计中心(ICQD)的赵瑾教授研究团队在第一性原理激子动力学方法发展方向取得了重要进展。团队在自主知识产权的程序Hefei-NAMD中率先实现了自旋分辨的real-time GW+BSE（GW+rtBSE）激子动力学，可以在第一性原理的层面上准确包含多体效应，突破了GW+BSE方法在含时动力学上的瓶颈。该研究结果以...
北京大学工学院占肖卫课题组在非富勒烯受体有机太阳能电池研究中取得新进展，通过侧链和端基同时氟化策略设计并合成了具有三维堆积和激子/电荷传输的稠环电子受体光伏材料，相关工作发表在《先进材料》上（Adv. Mater., DOI: 10.1002/adma.202000645）。
近年来，世界范围内兴起了二维材料的研究热潮，如厚度小于1nm的单层过渡金属硫族化合物，有望推进集成电路进一步朝小型化和节能化迈进。其中，对二维材料激子光电行为的研究，在太阳能转化，析氢反应制氢和高效光电二极管已展现特殊优势，尤其是其具有特殊的谷自旋而在量子信息处理和存储方面具有重要应用而受到研究人员的广泛关注。相较于通常可直接探测的亮激子，暗激子因为自旋封闭，不能弛豫到较低的能级，因而具有更长的寿...
最近，物理学院、光电材料与技术国家重点实验室王雪华教授研究团队在光子与单激子强耦合相互作用量子调控理论及实验研究方面取得了重大进展，最新研究成果以“Strong Light-Matter Interactions in Single Open Plasmonic Nanocavities at the Quantum Optics Limit”为题发表在2017年6月8日的物理学顶级刊物Physi...
结合亚单层的有机发光技术, 制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/ m-MTDATA (50 nm) / C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入DPVBi前后,通过改变DPVBi的厚度,观察器件性能的变化,当DPVBi为4 nm时,器件在4V电压...
基于半导体多量子阱中激子能级的EIT全光开关
半导体多量子阱 电磁诱导透明 全光开关
2013/7/18
我们报道了一种全新的全光开关，该光开关是在半导体多量子阱中基于激子和双激子能级形成的EIT效应，利用量子相干相消效应来减小材料对探测光场的吸收，且探测光场吸收的强度可以通过控制光场来调节。若将控制光场设置为脉冲光场，则可以实现探测光场的开关调制，通过选取适当的控制光场的强度，可以得到约86%的开关效率。
光子学器件具有电子学器件无法比拟的高速、高带宽和低能耗等优点，在光信息处理和光子学计算中扮演着非常重要的角色。中科院化学研究所光化学院重点实验室的科研人员近年来一直致力于低维有机光子学方面的研究（Acc. Chem. Res.,2010,43,409-418，Adv. Funct. Mater., 2012, 22, 1330-1332），围绕光子学集成器件中所需要的微纳光源(J. Am. Che...