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8月12日下午，科技部基础研究司基地建设处处长周文能一行来半导体所调研，与所长李晋闽、国家半导体照明研发及产业联盟秘书长吴玲、荷兰代尔夫特理工大学北京研究中心主任张国旗等就半导体照明联合创新国家重点实验室的筹建工作进行了座谈交流。陪同调研的还有科技部基础司基地建设处副处长任家荣、政策法规司技术创新协调处副处长汤富强。
973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”2010年度总结大会于2010年12月27日于中国科学院微电子研究所召开，著名科学家王越院士、吴德馨院士、微电子所叶甜春所长参加了会议并做工作指导，各子课题负责人和科研骨干出席会议并汇报了项目的工作进展情况，会议由项目首席科学家刘新宇研究员主持。
973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”2010年上半年工作交流会于6月8日在中科院微电子所召开，会议由项目首席科学家刘新宇研究员主持，各子课题负责人和科研骨干出席会议。
半导体照明市场广阔基础研究仍需加强
半导体 市场 基础研究 加强
2010/2/26
半导体照明产业已成为后危机时代的产业制高点。针对中国基础研究滞后于技术、市场发展的现象，专家呼吁：“半导体照明市场广阔基础研究仍需加强。”“由于巨大的应用需求，半导体照明发展出现了市场领先技术发展，技术研究领先于基础研究的特点。”在近日召开的相关主题的香山科学会议上，南京大学物理系教授张荣等专家指出，中国半导体照明基础研究虽然在过去10年中得到一定支持，但也存在缺位。前期积累的基础研究成果，已不能...
半导体照明：基础研究不能“慢半拍”
半导体照明 基础研究
2010/2/24
“由于巨大的应用需求，半导体照明发展出现了市场领先技术发展，技术研究领先于基础研究的特点。”在近日召开的相关主题的香山科学会议上，南京大学物理系教授张荣等专家指出，我国半导体照明基础研究虽然在过去10年中得到一定支持，但也存在缺位。前期积累的基础研究成果，已不能适应半导体照明技术发展的快速需求。因此，加快半导体照明若干重大基础科学问题研究，解决产业发展的技术瓶颈，已经迫在眉睫。
国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议召开
国家973计划 半导体器件会议
2010/2/5
2010年1月29日，中科院微电子所国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》、《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议在北京外国专家大厦举行。国家科技部基础司钱小勇处长、中科院高技术局戴博伟处长、中科院基础局王永祥处长出席会议并致辞。吴德馨院士、郑有炓院士、王越院士、周炳琨院士、范守善院士、解思深院士及相关兄弟院所高校专家和两项目...
太赫兹上海市基础研究重大项目通过验收（图）
太赫兹 项目 通过 验收
2009/12/16
12月15日，由中科院上海微系统所曹俊诚研究员主持承担的上海市基础研究重大项目“太赫兹频段辐射源、探测及其应用基础研究”在中科院上海微系统所召开了验收会。上海市科委施强华巡视员、胡睦处长、曹宏明以及来自复旦大学、中科院上海技物所、上海交通大学和华东师范大学的评审专家出席了会议。中科院上海微系统所美国科学院外籍院士李爱珍研究员、所长助理俞跃辉研究员、科技处处长胡善荣、重大办主任程莉莉以及项目组成员共...
科技部基础研究司张先恩司长来所做基础研究发展报告（图）
科技部基础研究司长 报告
2009/10/28
2009年10月26日科技部基础研究司张先恩司长来所就国家基础研究发展做了详细的报告，报告会由副所长王跃林主持。所长封松林、党委副书记兼副所长齐鸣、副所长赵建龙、各室研究员、课题负责人及技术人员等参加了此次报告会。
光子束超衍射纳米加工技术及应用基础研究项目获国家重大研究计划立项
光子束超衍射纳米 项目 国家重大研究计划
2009/10/28
近日，以中科院理化技术研究所段宣明研究员任首席科学家申报的“光子束超衍射纳米加工技术及应用基础研究”项目通过了科技部国家重大研究计划评审，批准科研经费为2400万元。项目研究团队由中科院理化技术研究所、国家纳米科学中心、中科院半导体研究所、南开大学等单位组成。
近日，由微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）刘新宇研究员为首席科学家的973计划“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”项目经科技部评审答辩顺利申请成功。
近日，由微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）刘新宇研究员为首席科学家的973计划“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”项目经科技部评审答辩顺利申请成功。
973项目《BNI融合的微纳传感器及其系统基础研究》召开2008项目年度总结会（图）
传感器 系统基础 项目 总结会
2008/12/25
2008年12月15日，由上海微系统与信息技术研究所主持承担的国家重点基础研究发展计划项目《BNI融合的微纳传感器及其系统基础研究》召开了2008年项目年度总结会，项目咨询专家、项目专家组、主管部门代表以及各课题负责人近30人参加。
该项目在高速电路系统规模扩大、速度提高的情况下,对其中的互连封装系统产生的寄生电磁效应进行研究。
超大规模集成电路物理级优化和验证问题基础研究
集成电路 物理级优化 物理级验证
2008/10/30
本项目针对VLSI物理级优化和验证中若干基础问题开展研究工作，主要内容和成有VLSI芯片级布图规划技术；互连线优化问题；电源/地线网络分析及优化技术；快速高精度的互连寄生参数提取。本项目共发表论文180多篇，出版专著1部。以本项目为主要内容的中美国际重大合作基金项目通过了国家自然科学基金委的验收，得到的总体评价为：该项目在一些关键技术上取得国际领先水平的突破性进展，我国学者已经能够站在EDA技术...