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中国科学院微电子研究所刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究小组,最近在阻变存储器(ReRAM)领域取得新的进展,题为“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究论文被欧洲固态电子器件会议(ESSDER)录用,ESSDER是国际电子电气工程师协...
微电子所阻变存储器最新研究成果被ESSDER会议录用
阻变存储器 研究成果 会议录用
2009/5/31
中国科学院微电子研究所刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究小组,最近在阻变存储器(ReRAM)领域取得新的进展,题为“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究论文被欧洲固态电子器件会议(ESSDER)录用,ESSDER是国际电子电气工程师协...