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一种自持硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将含硅原料经过金属网和金属丝固定形成金属网覆盖的电极，然后将此电极置于600-1100°C的熔融盐中，对电极采用含碳电极，在惰性气氛或真空下施加1.7-2.5V的槽电压脱氧还原；反应后冷却取出，经过洗涤，剥离，即得到自持的硅纳米线阵列。其长度可以通过选用的原料厚度和反应的时间调节。纳米线阵列由晶体硅纳米线组成，特别的，纳米线之间具有...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
中科院理化所张晓宏研究组在硅纳米线阵列材料制备方面取得新进展，相关研究结果发表在《纳米快报》（Nano Letters 2010, 10(3), 864-868.）上。
中国科学院理化所张晓宏研究组在硅纳米线阵列材料制备方面取得新进展，相关研究结果发表在《纳米快报》（Nano Letters 2010, 10(3), 864-868.）上。