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搜索结果: 1-15 共查到材料科学 广东省相关记录15条 . 查询时间(1.206 秒)
胡川, 博士,2000年于美国德州大学获得物理专业博士。2001至2014,任职于英特尔公司(Intel)基础材料研究所(Components Research),研究比英特尔同时期产品领先6 到10年的技术。在英特尔,作为项目经理管理了30多个项目,对高风险的项目在工艺、材料、生产、商业化和知识产权评估有广泛和深入的理解,多项成果被转化为尖端产品。作为工业界导师通过SRC/DARPA等美国半导体...
龚政,博士,教授,2005年中科院半导体所博士毕业。曾在英国留学工作12余年。先后任英国思克莱德大学research fellow、英国mLED公司研发经理,以及Facebook旗下Oculus公司研发科学家。于2017年4月全职加盟广东省科学院半导体研究所。
广东省农业科学院蚕业与农产品加工研究所畜禽加工研究团队在国际期刊Carbohydrate Polymers(中科院一区,IF: 10.723)上在线发表题为“Enhancement of water barrier and antimicrobial properties of chitosan/gelatin films by hydrophobic deep eutectic solvent”...
广东省科学院半导体研究所招聘科研业务部主任助理。
2023年3月27日,广东省科学院第五届“讲科学、秀科普”大赛暨2023年广州地区“讲科学、秀科普”大赛。广东省科学院选区预赛在黄花岗科技园成功举行。本次大赛以“热爱科学,崇尚科学”为主题,共有来自科学院各院属单位30名选手参赛,广东省科学院半导体研究所联合培养研究生杨涛参加。
随着摩尔定律的发展,芯片的功能越来越强大,集成度也越来越高。然而随着10nm技术节点的接近,普通TFT面临着严重短沟道效应和高成本投入的双重严峻挑战。而肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势而在近年来受到广泛研究和关注。相比于普通TFT,肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应...
随着芯片特征尺寸的持续减小已逼近物理极限,电子器件的发展已走到瓶颈,传统意义上的摩尔定律被“超越摩尔定律”取代。“超越摩尔定律”不再单纯地追求更小的线宽和更先进的制程,而是试图从更多的途径来维护摩尔定律的发展趋势,当前已演化到集成电路与封装融合发展的新阶段,其中高密度三维封装是融合的核心实现路径。
显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官体验阈值的过程,Micro LED凭借其自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性,逐渐成为未来显示行业的发展趋势。然而,现阶段Micro LED 仍存在许多技术瓶颈有待突破,其中利用巨量转移方式制作Micro-LED显示屏目前仍主要采用侧向结构Micro-LED芯片,但侧向结构在分辨率和发光面积上有所限制。而垂直结构LED器件相比侧向结构LED在亮度及发光均匀性上更...
近年来,微型组件大面积、可编程地组装到任意基板上在先进电子领域被广泛探索和研究,然而微组装技术仍处于发展的初级阶段,仍有生产成本高、精度低、可控性差等问题,导致很多实际应用无法商业化。半导体所新型显示团队针对微器件巨量组装与集成方面的挑战开展了系列创新性研究,开发了一种通过光刺激调控光敏聚合物的表面形貌和界面粘附力,从而实现大面积、高保真且可编程的微器件巨量转移技术,相关研究成果发表在自然合作期刊...
彭军,男,1982年生,华南理工大学博士后,华南理工大学和University of Wisconsin-Madison联合培养博士研究生, 材料加工工程(聚合物方向),博士。 参与
2022年5月18日,2022广东省半导体产业技术峰会在深圳举办,广东省科学院半导体研究所俄罗斯工程院外籍院士、学科带头人庄巍教授应邀出席,作《大湾区集成电路产业新机遇》主题报告,并在高端访谈环节作精彩发言。
可穿戴电子设备的最新技术创新为实时监测电生理参数(如ECG、EMG 和 EEG)提供了可能性。电生理电极作为生物世界与信息世界之间沟通的桥梁,将生物组织的离子信号转换为电信号,这在现代生物医学研究中引起了广泛关注。为了实现准确和长期的电生理测量,理想的电极应具备以下特性:优异的生物相容性、保形附着、用户友好、长期稳定性和低的皮肤-电极阻抗,以保证信号灵敏度和可靠性。皮肤-电极界面的有关问题已取得很...
广东省科学院半导体研究所为公益二类独立法人事业单位,中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会挂靠单位。研究所主要面向第三代半导体和集成电路的基础研究及产业技术研发,正努力打造成为广东省半导体与集成电路领域知识、技术、人才等各类创新要素的集聚高地,成为推动广东省节能环保、信息技术领域创新驱动发展的枢纽型高端平台。目前拥有研发基地5000平方米,MOCVD、ICP、XRD等关键设备60多台/套,设备总价...
氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料的典型代表,因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点,在下一代电子和光电器件领域具有极强的竞争优势和应用前景。目前,在高频高功率电子器件和高灵敏度光电探测器方面已有广泛应用,然而高性能器件功能的实现需要GaN材料兼具低位错密度和半绝缘特征,但在GaN的生长过程中,蓝宝石衬底中大量氧元素向上扩散现象的存在,导致...
近日,科技部高技术研究发展中心公示了国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度公开指南拟立项项目清单,由国星光电、广东省科学院半导体研究所、厦门乾照光电股份有限公司、京东方科技集团股份有限公司、华南理工大学等九家单位共同申报的“高亮度高对比度全彩Micro-LED 显示关键技术研究”项目成功获批,其中广东省科学院半导体研究所承担该项目子课题之一“Micro-LED 显示芯片巨...

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