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电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu2+的光激励发光及光存储性质研究
电子俘获 光激励发光 光存储
2009/10/29
利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3:Eu2+ 样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410 nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660 nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3:Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获...