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铌酸锂材料具有优异的电光、声光和光学非线性效应,素有光电子时代“光学硅”的称号。近年来,薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注,基于该平台的光电子器件库也得到了快速的发展。相较于硅材料,铌酸锂材料的折射率较低,器件的尺寸也较大,这不仅降低了光电子芯片的集成度,还对计算资源和时间提出了更高的要求。因此,在薄膜铌酸锂平台上制作出光学微结构来降低器件尺寸、提升芯片集成度是一项非常具有吸引力...
2021年11月3日上午,2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开,中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心马骁宇研究员获得国家技术发明二等奖。马骁宇研究员带队研制的大功率半导体器件在探月等国家重点工程中发挥了重要作用,研究团队与中国科学院上海光学精密机械研究所合作项目“空间全固态激光器技术及应用”,2020年荣获国家技术发明二等奖。
近日,中南大学物理与电子学院何军、蒋杰等人在国际顶级期刊Advance Materials杂志上发表了题为“Sub-10 nm Vertical Organic/Inorganic Hybrid Transistor for Pain-Perceptual and Sensitization-Regulated Nociceptor Emulation”的研究成果(2019,DOI: 10.100...
2019年7月27日,材料学院新材料与器件研究中心团队在《自然·通讯》(Nature Communications)上发表了关于二维光电子器件的突破性研究成果: Reconfigurable Two-Dimensional Optoelectronic Devices Enabled by Local Ferroelectric Polarization。材料学院2016级博士生吕亮为论文第一作者...
成都信息工程大学2019年硕士研究生自命题光电子器件考试大纲。
成都信息工程大学2018年硕士研究生入学考试自命题光电子器件考试大纲。
The NUSOD conference connects theory and practice in optoelectronics. Papers are solicited on the modeling, simulation, and analysis of optoelectronic devices including materials, fabrication, and app...

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