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中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种利用准分子激光提高柔性AZO薄膜光电性能的方法
薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响
β-Ga2O3薄膜 日盲紫外探测器 薄膜厚度 光电探测性能
2022/2/20
本文在室温下利用射频磁控溅射技术在(001)蓝宝石衬底上制备了不同厚度的β-Ga2O3薄膜，随后将其置于氩气气氛中800℃退火1h。利用XRD，SEM，UV-Vis分光光度计、PL光致发光光谱仪和Keithley4200-SCS半导体表征系统等考察薄膜厚度对所得氧化镓薄膜相组成、表面形貌、光学性能以及光电探测性能的影响。结果表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜结晶质量提高，840nm薄膜最佳，1050n...
柔版印刷金属网栅光电性能研究
薄膜 金属网栅 电磁屏蔽 透明导电膜
2013/3/5
为满足日渐增加的电磁屏蔽要求，设计了一种透明基材上柔版印刷电磁屏蔽用金属网栅，研究了影响金属网栅透光率与电磁屏蔽特性的主要因素。首先从理论分析入手，计算并分析金属网栅结构参数（线宽、周期、占空比）等对透明导电金属网栅透光率及电磁屏蔽效能的影响；接下来利用柔版印刷方式制备周期为300、400 μｍ线宽为20、30、40 μｍ的金属网栅，测试了在7、10、13 GHz3个频点处电磁屏蔽效能以及300~...
在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5 Ω·cm,方电阻为9.68 Ω/s...
掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究
溶胶 凝胶 AZO薄膜 真空退火
2008/9/22
掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料，其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法，化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶凝胶（solgel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理，并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明，所制备的薄膜为钎锌矿型结构，在c轴方向择优生长，真空退火有利于薄膜结晶...
厚度对FeS2薄膜光电性能的影响
2007/7/28
期刊信息
篇名
厚度对FeS2薄膜光电性能的影响
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
黄伟,刘艳辉,孟亮。
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
太阳能学报
页面
2002, 23(5):533-537
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用