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MXene晶圆级光电探测器取得新进展（图）
MXene 晶圆级 光电 探测器
2022/3/10
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作，通过设计MXene材料的离心、旋涂、光刻和蚀刻工艺，提出了一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法，并构筑了1024高像素密度光电探测器阵列。该阵列具有优异的均匀性、高分辨率成像能力、迄今为止最高的MXene光电探测器的探测度。研究成果于2022年2月28日在《先进材料》（Advanced Materia...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所光电界面团队成功解析薄膜光电探测器倍增机理（图）
解析 薄膜 光电探测器 倍增机理
2021/10/14
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所光电界面团队发展了横截面开尔文探针显微镜技术（SKPM），突破了垂直封闭构型限制，实现了薄膜光电器件工况下界面能带结构的动态表征，成功解析了器件未知工作机理，取得了系列研究成果。
近日，云南大学材料与能源学院胡万彪研究员与邱锋副研究员提出了一种“介电材料BaTiO3自掺杂诱导亚带隙吸收，增强异质结光吸收”策略。通过调控介电层BaTiO3的介电特性，主动设计其晶格缺陷态，实现亚带隙吸收；构建BaTiO3/ MoS2光异质结的光电探测器，增强光增益材料MoS2的迁移率与载流子浓度，最终获得600 A/W的响应率、1.25×1012 Jones的比探测率及小于热激发限制的亚阈值摆...