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中国科学院合肥物质科学研究院专利：新型制冷型光电二极管阵列pda探测器
中国科学院高能物理研究所专利：光电二极管同步辐射X光束线探测方法
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2022/12/9
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
并行雪崩光电二极管阵列红外单光子探测系统
雪崩光电二极管 红外单光子探测器 后脉冲效应 并行阵列
2016/5/28
为了克服InGaAs/InP APD单光子探测器的后脉冲效应，减小APD器件的死时间，设计了一种并行APD阵列结构的红外单光子探测系统。该系统使用并行APD阵列将单光子信号转换成雪崩电信号，利用直流偏置电压电路使并行APD阵列工作于盖革模式，利用高速脉冲门控时序信号电路以及多通道光开关实现并行APD阵列的通道时序切换功能，并行APD阵列输出的雪崩电信号在经过信号探测电路的低通滤波和宽带放大处理后，...
SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真
单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析
2015/9/17
通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06 μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06 μm波长下,SiG...
针对未来光载无线通信所需的高功率、大带宽的光电探测器,提出了一种行波光电二极管级联阵列功率合成电路.先将行波光电二极管级联,再按照阵列式结构将多组级联的光电二极管组合起来,实现射频功率合成,以获得高功率、大带宽的射频信号.采用EDA工具,对该光电转换射频功率合成电路进行仿真模拟.仿真结果表明,该功率合成电路可以有效地将各光电二极管的射频输出信号进行功率合成,功率合成后的信号带宽显著增加,仿真结果与...
基于硅雪崩光电二极管的双光子吸收实验
双光子吸收 单光子探测 硅雪崩光电二极管
2014/4/10
研究了硅雪崩光电二极管(APD)对光通信波段近红外光子在不同频率、强度,以及APD 不同偏压下的双光子吸收效应(TPA)。通过实验详细测量了光频率从186.3 THz 到196.1 THz 变化时APD的TPA 效率,结果表明：随着入射光频率的不断增加,TPA 效率呈现出先增大、后减小的规律,并且在190.5 THz 附近达到最优效率。此外,在实验中观察到,随着入射光强的增大,TPA 效率也呈现出...
越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管（APD）的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾，然后重点报道了器件的增益最大可达3×105，介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系，简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统，并研究了过剩噪声与调制频率之...
用于SPR检测的自消噪光电二极管阵列驱动电路
SPR 光电二极管阵列 电流积分电路 自消噪
2010/10/27
本文以检测SPR现象为目的，设计了一种新型的具有自消噪功能的光电二极管阵列驱动电路。该电路可以精确检测矩形区域内的光强分布，从而确定SPR共振角。电路选用滨松光子学株式会社(Hamamatsu)生产的S3903-1024Q型光电二极管阵列线性图像传感器作为光电转换器件，并以改进型电流积分方式进行驱动，可以根据检测环境的噪声条件自适应消噪。经实验证明，本文设计的具有自消噪功能的光电二极管驱动电路显著...
基于线阵InGaAs光电二极管阵列的光纤光栅传感解调
光纤光栅传感 InGaAs光电二极管阵列 解调系统
2008/3/16
采用线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅并结合空分复用和波分复用技术,对光纤光栅传感进行解调.设计了基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅传感解调系统,通过系统测试和性能分析,该解调系统解调带宽42 nm,信噪比30 dB,波长偏移测量精确度±15 pm,功率测量精确度为±0.3 dB.基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅解调系统不但尺寸小,功耗低,而且...