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中国科学院微电子研究所专利：采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：功率半导体器件的背面集电极结构
2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。
2023年3月6日下午14:00，成都高新区“中试+”生态大会成功举办，旨在倡议打造“中试+”创新生态，建设全国中试首选地。活动现场，聚焦智能传感芯片、智能硬件和电子电路、先进陶瓷材料等多个细分赛道和新兴产业，揭晓了21个授牌中试平台项目，并有10个中试平台代表项目上台进行现场授牌。成都岷山功率半导体技术研究院旗下的可靠性测试及失效分析联合实验室、PSTI-ADT切割联合实验室被授牌“功率半导体检...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱团队在功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议（32nd ISPSD）发表重要研究进展（图）
孙钱 功率半导体器件 集成电路 学术会议
2020/9/29
会议简介：ISPSD（全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs， 功率半导体器件和集成电路国际会议）是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业（台积电、三星、松下，英飞凌，东芝...
2020年6月16日，电子科大-长晶科技功率半导体联合实验室揭牌仪式在清水河校区举行。揭牌仪式前，校党委书记王亚非会见长晶科技董事长杨国江一行。副校长徐红兵、集成电路研究中心主任张波教授参加会谈。徐红兵、杨国江出席揭牌仪式，示范性微电子学院院长张万里教授主持仪式。
日本研发在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术
氮化镓晶片 GaN元件功率半导体关键技术 GaN晶片 晶片
2017/2/23
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓（GaN）晶片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN晶片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
华人科学家首获国际功率半导体先驱奖
半导体器件 集成电路 陈星弼 国际功率半导体先驱奖
2015/5/25
日前，在第27届国际功率半导体器件与集成电路年会上，电子科技大学教授、中国科学院院士陈星弼因在高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，获“国际功率半导体先驱奖”，成为首位获得该奖项的华人科学家。
关于召开中国宽禁带功率半导体器件研究及应用技术研讨会
中国宽禁带功率半导体器件研究及应用技术 研讨会
2014/10/22
中国宽禁带功率半导体产业联盟自成立以来，得到了国家发改委、工信部、科技部以及国内外社会各界的高度关注和支持。为进一步推动宽禁带功率半导体产业应用端对产业发展的需求牵引作用，实现我国宽禁带功率半导体产业跨越式发展，缓解或解决因传统能源日益紧缺造成的能源危机，发挥宽禁带功率半导体产业对国民经济发展的推动作用，中国宽禁带功率半导体产业联盟于11月30日在南京市举办 “中国宽禁带功率半导体产业联盟2014...
辛德胜教授;承担科研项目情况:近年来，本人承担总装共用基金课题3项，总装重点实验室基金课题7项，国家级项目课题8项，省部级项目5项，横向课题4项。其中获奖2项，在研课题3项。
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室博士生导师晏长岭研究员,研究领域:光电子学与半导体激光技术.
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,主要从事光电子理论与器件教学与科研工作.
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室博士生导师高欣研究员,主要从事高功率半导体激光器物理与技术研究，先后承担国家自然科学基金、总装预研基金、兵器基金、吉林省科技厅等研究项目10余项。