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高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现（图）
高速低功耗 钪锑碲 相变 存储材料
2017/11/10
中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项、国家自然科学基金、中科院A类战略性先导科技专项、上海市领军人才、上海市科委等项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、嵌入式器件设计、PCRAM的基础制造技术取得系列重要科技进展。近...
1-3MHz高频低功耗锰锌铁氧体材料
功耗 锰锌铁氧体
2008/12/5
本项目先后承担完成了国家创新基金3项，开发国家重点新产品3项，完成国家重点火炬计划3项，完成省市科技攻关计划5项，获部、省政奖项10项，国际著名公司奖项3项，获务家发明专利3项。公司积累了近三十年的磁性材料的研制、开发生产的经验，是全国磁性元件与铁氧体材料标准化技术委员会成员单位，先后通过ISO9001:2000质量体系认证，所属集团公司拥有江苏省级磁性材料与器件工程技术研究中心。