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搜索结果: 1-1 共查到电子科学与技术 高性能晶体管相关记录1条 . 查询时间(0.304 秒)
北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授、彭练矛教授课题组重新审视了MOS晶体管亚阈值摆幅的物理极限,提出一种新型超低功耗的场效应晶体管,并采用具有特定掺杂的石墨烯作为一个“冷”电子源,用半导体碳纳米管作为有源沟道,以高效率的顶栅结构构建出狄拉克源场效应晶体管(Dirac source-FET, DS-FET),在实验上实现室温下40 mV/DEC左右的亚阈值摆幅。变温测量结...

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