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本发明涉及一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法，其特征在于：所述发光二极管与光电转换器件之间通过两端均为磨锥球面的光纤进行耦合，即双头磨锥球面光纤耦合。本发明的耦合方式对含有发光二极管与光纤耦合的各种检测器、传感器和光学通信设备，尤其是荧光检测器和荧光传感器具有应用价值。该耦合方法简单、实用、方便、成本低廉。
本实用新型涉及一种多波长的紫外发光二极管阵列的刑侦光源，由多波长的紫外发光二极管阵列构成的刑侦光源，其中相同波长的紫外发光二极管阵列由一个电路控制，不同波长的紫外发光二极管阵列由各自不同的电路控制。本实用新型设计的装置体积小、结构紧凑、便携，适合于刑侦现场荧光物质的搜索和辅助取证。
中国科学院高能物理研究所专利：一种P-n透明同质结二极管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种SiC肖特基二极管及其制作方法
中国科学院微电子研究所专利：一种肖特基二极管接触孔制备的可测试性监控方法
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种高取光效率白光发光二极管
中国科学院超导二极管效应研究获进展（图）
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位，如超导量子干涉仪等。那么，能否在超导电流中实现二极管效应？由于超导电流的零...
中国科学院金属研究所发明一种光控二极管（图）
光控 二极管 集成电路
2022/5/11
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中光电芯片可实现光传输及信息处理功能。通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。其中，二极管作为一种重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域具有重要应用，其结构和功能也十分丰富（图1）。
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体所童鹏研究员团队基于前期研发的新型热导率自主调控材料，研制出具有优异热整流性能的固态热二极管，
具有单向导电特性的二极管是电子电路中最基本的单元器件之一，几乎存在于所有的电子电路和芯片中，其发展对现代电子信息社会的进步起到了巨大的推进作用。对于常见的半导体二极管，由于半导体材料本身存在有限的电阻，二极管工作时不可避免的存在能量损耗。而超导材料具有完全的零电阻效应，使得超导电子器件具有天然的超低功耗的优点。但是长期以来，实现具有单向超流输运（单向零电阻态）的超导二极管一直是超导电子学领域的一大...