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采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系，沿<010>晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高，样品的晶粒尺寸先增大后减小，退火后又增大。此外，样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征，退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现，随衬底温度的升高，一方面样品的光吸收边向长波方向移动，透过率...
采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系，沿<010>晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高，样品的晶粒尺寸先增大后减小，退火后又增大。此外，样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征，退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现，随衬底温度的升高，一方面样品的光吸收边向长波方向移动，透过率...
研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1 064 nm与532 nm激光辐照下的损伤行为。基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑，当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑，辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑，但电子缺陷的损伤阈值更低；随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌。分析认为，辐照激光波长的变化，引起...
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
语种
中文
撰写或编译
作者
邹德恕，陈建新
第一作者单位
刊物名称
半导体技术
页面
1996，2，42-44
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成