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HgTe二维电子气pn结中电子输运研究取得重要进展
电子输运 研究
2011/1/30
半导体材料HgTe由于其独特的反转的能带结构（或称负能隙）近年来在国际上引起了广泛的关注。德国Wuerzburg大学的L. W. Molenkamp和H. Buhmann教授领导的实验组在HgTe的量子阱中发现了量子自旋霍尔效应，印证了美国Standford大学张守晟教授的理论预言。由于出色的研究工作，他们分享了2010年度欧洲物理学奖。
中科院半导体所在一维量子波导中的Rashba电子输运研究有新进展
中科院半导体所 一维量子波导 Rashba电子输运
2009/10/28
在半导体中实现自旋极化电流是近年固体物理研究中的热点问题。近日，美国《科学》（Science）网站“EurekAlert中文版”报导了中科院院士、中科院半导体研究所研究员夏建白领导的课题组在《中国科学G辑：物理学 力学 天文学》2009年第9期上发表的研究成果。刘端阳、夏建白、张亚中等人在文中提出了一维Rashba电子输运的一般性理论和折线型自旋过滤器件的设想，并且得到了一系列可用于操控自旋和...
一维量子波导中的Rashba电子输运
一维量子波 电子输运
2009/10/27
在半导体中实现自旋极化电流是近年固体物理研究中的热点问题。最近美国《Science》网站“EurekAlert中文版”报导了夏建白院士领导的课题组的一项工作，在《中国科学G辑：物理学 力学 天文学》2009年第9期上发表的研究文章(作者：刘端阳、夏建白、张亚中)提出了一维Rashba电子输运的一般性理论和折线型自旋过滤器件的设想，并且得到了一系列可用于操控自旋和自旋流强度的器件(理论模型)和方法。...