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从Raman光散射原理出发, 提出原位Raman谱观测畴变原理, 探索建立铁电畴变的原位、无损和微区观测技术. 通过对PLZT铁电陶瓷试样的90 deg原位旋转前、后Raman谱变化的观测, 以及电场作用下PLZT铁电陶瓷试样畴变后Raman谱峰强变化的观测, 证实可以利用Raman谱的变化来检测铁电陶瓷材料电畴的畴变.
研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象. 结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑. 即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体. 高于Curie点充氢时,能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变,室温下铁电性消失. 但室温电解充氢并不抑制相变. 高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.
摘要Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(简称PMN)作为一种具有复合钙钛矿结构(perovskite)的弛豫铁电陶瓷,因具备高介电常数、大电致应变及小剩余极化等一系列优异的物理性质而受到广泛关注。主要介绍了几种常见的PMN制备工艺,如高温固相反应、高能球磨法、溶胶-凝胶法等;并通过对多种制备工艺的优缺点进行对比,为PMN制备工艺的选择提供了借鉴。关键词 PMN 高温固相反应 高能球磨 溶胶-凝胶 熔...
采用常规陶瓷制备方法制备了单组分锆钛酸铅(PZT)和梯度PZT铁电陶瓷材料.对两者的介电特性进行了比较和研究.单组分样品在相变处介电常数出现峰值,而通过热扩散形成的梯度铁电陶瓷能拓宽相变区域,在较宽的温度范围内获得较高的介电常数.
0.2 kV/cm, 电场、残余应力和介质的耦合才能使压痕裂纹在经过一个孕育期tp后发生滞后扩展。由于有效应力强度因子随裂纹扩展而下降, 故压痕裂纹扩展10---30m后就将止裂. 压痕裂纹在硅油中滞后扩展的门槛电场强度EDP=0.2 kV/cm。如外加电场大于临界电场Ep=5.25 kV/cm,电场和残余应力的耦合可使压痕裂纹瞬时扩展;保持恒电场, 裂纹能继续扩展,然后止裂.如外...
用Vickers硬度计作为加载装置, 研究了极化锆钛酸铅(PZT-5)铁电陶瓷压痕裂纹恒载荷下在室温空气和水中的扩展规律. 结果表明, 恒载荷下,压痕裂纹在空气和水中不断扩展, 120 h后趋于稳定, 从而就可获得裂纹扩展速率和裂纹止裂的门槛应力强度因子KISCC,它们均显示各向异性. 研究表明, 裂纹扩展速率和KISCC的各向异性与铁电陶瓷断裂韧性的各向异性有关, 即裂纹扩展速率随KIC的增加而...
摘要 采用Raman散射方法研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(0.2PZN-0.8PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象. 通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相R l模式之间的相对强度, 以及四方相E(3LO)和A1(3LO)模式与三方相R h模式之间的相对强度, 确定了铁掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响...
文章摘要: 利用SEM观察了未疲劳和疲劳铁电陶瓷极化试样的断口形貌. 利用原位XRD观测 了电疲劳过程中极化试样表面铁电电畴的变化, 并记录了相应的剩余极化强度. 实验结果表明: 疲劳试样的主要断裂模式为沿晶断裂; 随疲劳次数的增加, 每 次疲劳后试样表面I (002)减小, I (200)增加; 每次疲劳后在外加电 场作用下试样表面I (002)增加幅度和I(200)减小幅度...
文章摘要: 用单边缺口拉伸试样研究了外加应力强度因子对PZT5铁电陶瓷电致瞬时断裂以及在硅油中电致滞后断裂的影响. 结果表明, 在硅油中发生瞬时断裂的临界电场强度随外加应力强度因子的升高而线性下降. 外加正、负恒电场在硅油中能发生滞后断裂, 外加K则促进电致滞后断裂. 电致滞后断裂的门槛电场随K升高而线性下降, 且和电场符号无关.外加应力促进恒电场下的滞后断裂表明, 应力、电场...
文章摘要: 研究了BaTiO$_{3}$铁电陶瓷在恒载荷下的应力腐蚀, 环境分别为湿空气、水、硅油和甲酰胺. 结果表明, BaTiO$_{3}$ 铁电陶瓷在湿空气、硅油、水和甲酰胺中都能发生应力腐蚀, 其本质是介质分子吸附降低表面能. 在空气中的瞬时断裂为穿晶断裂, 滞后断裂大部分为穿晶断裂, 局部为沿晶断裂. 在这四种环境中, 归一化应力腐蚀门槛应力强度因...
专著信息 书名 MgO对BSTO铁电陶瓷材料结构及低频特性的影响 语种 中文 撰写或编译 作者 汪小红,吕文中,刘坚,梁飞,周东祥 第一作者单位 出版社 硅酸盐学报,2004,V32,No.6, P738 出版地 出版日期 2004年 月 日 标准书号 介质类型 页数 字数 开本 相关项目 新型相控阵雷达天线用铁电移相器基础研究

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