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中国科学院微电子研究所在氧化物电解质栅控晶体管研究取得进展（图）
氧化物 电解质 栅控晶体管
2020/11/9
当今世界信息技术突飞猛进，海量的数据对信息的快速实时处理提出了更高要求，实现这一目标的有效途径之一是开发具有边缘计算能力的智能感知系统，缓解数据传输带来的延迟与能耗，从而实现实时、高效的信息处理。电解质栅控晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，其结构与传统场效应晶体管类似。不同的是，电解质栅控晶体管采用含有可动离子（如H+, Li+等）的电解质材料代替二氧化硅作为栅介质层。在栅极电压作用下，可动离...