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2023年2月14日日，中科院合肥研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队与国内外研究团队合作，利用质子门电压技术在笼目金属CsV3Sb5中实现了超导-绝缘体相变以及反常霍尔效应的电调控。研究成果在线发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。
2022年8月24日，中科院合肥研究院强磁场中心低功耗量子材料研究团队郑国林研究员与澳大利亚皇家墨尔本理工大学Lan Wang教授以及华南理工大学赵宇军教授等人合作，首次利用门电控制二维异质结界面的质子插层，实现了范德瓦尔斯铁磁（FM）金属-反铁磁(AFM)绝缘体界面exchange-bias（交换偏置）效应的电调控，为构筑更多界面耦合效应可控的范德瓦尔斯异质结器件提供了新的技术手段。相关研究成果...