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上海交通大学密西根学院但亚平课题组研究发现，自组装单分子膜掺杂会在硅衬底引入碳缺陷，从而降低硅中磷杂质的电学激活率。研究人员由此提出了自组装单分子膜掺杂技术的研究方向，为发展无缺陷态的单分子膜掺杂技术奠定了基础。相关成果日前发表于《自然—通讯》杂志。传统的离子注入掺杂依赖高能离子轰击半导体晶体实现，半导体晶体常遭到破坏。其电学性能因此恶化，而且杂质原子在半导体内随机分布，无法满足当前先进集成电路制...
