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中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法
中国科学院金属研究所研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管（图）
中国科学院金属研究所 窄带隙 半导体性 单壁碳纳米管
2016/3/31
单壁碳纳米管（SWCNT）因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性，其中半导体性SWCNT具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料，并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而，金属性和半导体性SWCNT的结构和生成能差异细微，通常制备得到的碳纳米管中含有约三分之一金属性和三分之二半导体性SWCNT，这种不同导电属性SWCNT的混合...
科学家攻克单壁碳纳米管结构可控制备关键技术
单壁碳 纳米管结构 可控制备 关键技术
2014/6/27
由于各国科学家一直未能找到让碳纳米管结构可控生长的制备方法，碳基电子学发展和电子技术的实际应用受到了极大制约。20104年6月26日从北京大学传来喜讯，该校李彦教授课题组借助一种自主研制的新型钨基合金催化剂，研究出单壁碳纳米管结构可控制备方法。学术成果在6月26日的《自然》杂志上发表。
单壁碳纳米管因其独特的结构和优异的性能，在纳电子器件、能量存储器件、结构和功能复合材料等诸多领域具有应用潜力。然而，由于单壁碳纳米管之间很强的范德华作用力(～500eV/µm)和大的长径比(>1000)，通常容易形成大的管束，难以分散，极大地制约了其优异性能的发挥和实际应用。
竖立在晶态金表面上的短单壁碳纳米管
碳纳米管 扫描隧道显微镜针尖 组装技术
2009/5/11
合成和提纯了单壁碳纳米管(SWCNTs),用胶体将其竖直地组装在金薄膜表面上。用此组装技术制造了扫描隧道显微镜(STM)的针尖,成功地观测到了金晶粒的形貌像和高定向石墨的原子像。SWCNTs竖立在金表面上对于电学特性测量,制造场发射电子源,组装纳米电子器件,制作扫描探针显微镜(SPM)针尖等有重要意义。
北京大学化学学院超长单壁碳纳米管阵列研究取得突破性进展
北京大学化学学院 催化剂 金属铜 超长单壁碳纳米管阵列
2007/7/16
北京大学化学学院2007年7月13日报道 硅基底上的平行超长单壁碳纳米管阵列因有望在大规模集成电路中应用而备受关注，但是目前的制备方法还存在许多问题，由于不能大批量制备大规模的高质量样品而严重制约了其性质和应用研究。近日，北京大学化学学院李彦教授课题组在数年来有关单壁碳纳米管表面生长研究的基础上，通过对生长机制的深入分析，提出创新性思路，在高质量平行超长单壁碳纳米管阵列的制备方面取得了突破性进展。