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缺陷对坡莫合金薄膜磁畴翻转钉扎影响的洛伦兹透射电镜显微研究
洛伦兹透射电子显微镜 坡莫合金 缺陷 磁矩翻转 钉扎 畴壁运动
2012/3/19
利用磁控溅射法，在具有孔洞缺陷的铜网碳膜上成功地溅射了一层厚度100nm，具有圆形缺陷的坡莫合金薄膜。结合常规透射电镜分析测试，研究了此类缺陷的形成机理及结构性质。利用洛伦兹透射电镜观察缺陷对周围磁矩的影响，以及在磁化反转过程中，缺陷对畴壁运动的影响。结果表明，此类缺陷是不同于膜本身的第二相弱磁性材料，它对畴壁的运动有着先排斥后吸引的钉扎作用。
FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应
巨磁阻抗效应 磁畴结构 软磁合金 薄膜
2008/11/5
用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜, 经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料, 磁畴结构观察表明, 样品中心为均匀的细条畴靠近边缘, 磁畴方向转向横向, 这种畴结构有利于磁力线的闭合, 是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一, 磁阻抗测量表明, 样品在１３ＭＨＺ的频率下, 分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.