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搜索结果:
1-1
共查到
“
动力与电气工程 超结MOSFET
”
相关记录1条 . 查询时间(0.088 秒)
SiC
超结MOSFET
的短路特性研究
SiC
超结MOSFET
击穿电压
导通电阻
短路
2023/1/30
SiC
超结MOSFET
设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC
超结MOSFET
可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD
Se
ntaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC
MOSFET
结构和SiC
超结MOSFET
结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性...
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