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精确的紫外光检测是现代光电技术的重要组成部分,现阶段的紫外光探测器主要基于宽禁带半导体,例如,III-V半导体。然而,传统的宽禁带半导体在实际应用中达到了瓶颈,难以兼顾高集成度和高柔性。有鉴于此,低维宽禁带半导体由于具有合适的紫外光吸收范围、可调节的光电性能以及良好的衬底兼容性等优势,在多种紫外光工作场景中展现出巨大的应用潜力。
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