搜索结果: 1-8 共查到“电子科学与技术 不对称性”相关记录8条 . 查询时间(0.142 秒)
晶格对称性是电介质材料最重要的内秉性质之一，然而晶格对称性在电介质材料和异质结器件的广泛应用中却常常被忽略。近日，南京大学现代工程与应用科学学院袁洪涛教授团队与合作者们，寻找到一种各向异性的电介质材料并提出将晶格对称性匹配作为一种调控电介质/半导体异质结界面对称性破缺和界面物理性质的方法。通过堆叠具有不同旋转对称性的电介质和半导体材料，使得界面处的对称性与各材料系统的本征晶格对称性不同，在原本各向...
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种多通道电路不对称性的校准方法
当前集成电路制造技术进入了“后摩尔时代”，一方面需要继续延续摩尔定律（More Moore），探索新材料、新结构或新原理的器件，解决后摩尔时代器件微缩时的尺寸、集成度和功耗的瓶颈问题；另一方面需要超越摩尔定律（More than Moore），拓展集成电路芯片功能并实现异质集成。单分子器件则为这一发展策略，提供了与传统思路不一样的可行性方案之一（Fig. 1）。其中，构建多功能单分子器件不仅能够降...
天津大学太赫兹研究中心韩家广教授、国防科技大学杨镖博士与英国伯明翰大学张霜教授课题组合作，利用磁化半导体材料在太赫兹波段观测到了光学外尔（Weyl）点和费米弧（Fermi-arc）表面态，这是在经典体系中首次观测到打破时间反演对称性导致的外尔点，也是首次在无周期结构的均匀材料体系中发现的外尔点。相关成果以“Photonic Weyl points due to broken time-revers...
辐射驱动不对称性对靶球压缩的影响
不对称性 收缩比 靶球变形 产额降低
2009/9/25
定量评估了驱动不对称性对靶球压缩的影响。对于不随时间变化不对称性驱动内爆，2维数值模拟结果表明：收缩比越小，驱动不对称性对靶球压缩变形和中子产额的影响越小；如果靶球压缩变形度为2.0，则相应的中子产额较少30%。改变黑腔长度，可得到不同时空性质辐射流，当腔长为1 350 μm时，后来的反向不均匀性能消除前期不对称压缩的影响，最后压缩接近球形，内爆中子产额也最高。靶球压缩X光成像数值分析表明，用成像...
非线性相移对Z-scan曲线对称性的影响
非线性相移 Z-scan方法 定量分析 类色散
2009/2/18
基于由光束传输的ABCD矩阵得出的Z-scan透过率的解析结果，分析了Z-scan实验曲线随非线性相移的变化规律。发现随着相移的增加，折射非线性相移比吸收非线性相移对Z-scan曲线对称性的影响更大。对于具有强饱和吸收和弱自聚焦特性的非线性介质，其Z-scan曲线随非线性折射相移的变小将失去典型的类色散特点。对于1μm厚的ZnCdSe-ZnSe多量子阱，扫描光源采用532 nm的基模高斯光束，采用...
中国科学院物理研究所铁基高温超导体超导能隙对称性和轨道相关性研究取得新进展（图）
高温超导电性 对称性 新进展
2008/12/12
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室丁洪研究组与日本东北大学高桥隆教授小组合作，在铁基高温超导体超导能隙对称性和轨道相关性研究的中取得新进展。 高温超导电性一直是一个热门的研究课题。最近发现的铁砷化合物超导体的超导转变温度达到55K，从而结束了铜氧化合物在高温超导领域内的统治地位，更是将这一课题的研究推向了一个新的高潮。和铜氧化合物超导体的情况一样，揭示出这种新型超导体的物理性质，...