搜索结果: 1-15 共查到“无机非金属材料 薄膜”相关记录43条 . 查询时间(0.139 秒)
中国科学院宁波材料所氧化物薄膜晶体管人工光电突触研究取得进展（图）
宁波材料 氧化物 薄膜晶体 人工光电
2023/9/13
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
五邑大学应用物理与材料学院学术讲座—新型薄膜晶体管的理论和实验研究（图）
学术讲座 新型薄膜 晶体管 实验研究
2021/11/17
2021年11月9日（星期二）下午3时，应五邑大学应用物理与材料学院和柔性传感材料与器件研究开发中心的邀请，中山大学博士生导师、国家优青获得者刘川教授在北主楼1707室给五邑大学师生做一场题为“新型薄膜晶体管的理论和实验研究”的学术讲座。本次讲座吸引了许多应用物理与材料学院师生过来学习和交流。
我国有机薄膜晶体管及柔性电路溶液法制备研究获进展（图）
有机薄膜晶体管 柔性电路 溶液法制备 研究进展
2011/8/17
有机薄膜晶体管（OTFT）由于在轻薄、低成本和柔性有机电子产品方面的广阔应用前景而成为有机电子学中的前沿研究。随着OTFT二十年来的迅猛发展，其性能指标已经初步满足实用化要求。但OTFT仍然存在着性能、稳定性和成本等方面的诸多问题，这些问题大大限制了OTFT的进一步发展。其中，OTFT的低成本制备特别是器件的溶液法加工以及高性能、高稳定性的功能材料开发特别是n型半导体研发作为决定OTFT走向应用的...
钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响
无机非金属材料 电致变色 钴掺杂氧化镍薄膜 可逆性
2010/11/17
采用恒电位法在FTO玻璃上沉积Co与Ni摩尔比为0.16:1的薄膜, 用X射线衍射仪、扫描电镜和能谱仪分析了膜的成分、结构和形貌, 用紫外--可见分光光度计表征了膜的透光性能, 用循环伏安法表征了膜的电化学稳定性和可逆性, 用双电位阶跃法表征了膜的开关响应时间, 研究了钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响。结果表明, 钴掺杂使NiO薄膜颗粒更加细小和均匀, 提高了薄膜在可见光波段着色态与消色态之间...
La掺杂对TiO2薄膜性能的影响
无机非金属材料 溶胶--凝胶法
2009/10/16
用溶胶--凝胶法制备TiO2以及La掺杂TiO2的前驱体凝胶, 将其均匀旋涂不同层数制备出不同厚度的薄膜, 研究了La掺杂对TiO2薄膜结晶性能、表面形貌、光学特性和亲水性能的影响. 结果表明: 在500℃可以获得结晶性良好的锐钛矿相TiO2薄膜; 随着La掺杂量的增加, 薄膜中TiO2晶粒会变大, 同时引起紫外可见光谱中吸收边的蓝移. 掺La的TiO2 薄膜经紫外照射后其接触角明显高于未掺杂样品...
磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性
无机非金属材料 磁控溅射 热稳定性
2009/10/16
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜, 研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化. 结果表明, 薄膜主要以非晶为主, 由Si--C键, C--C键和少量Si的氧化物杂质组成; 在真空条件下经高温退火后, 薄膜C--C键的含量减少, 而Si--C键的含量增加, 真空退火有利于SiC的形成; 在800℃空气中退火后, 薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层, 阻止了氧气与薄膜...
基于磁控溅射制备纳米微晶NiOx薄膜的方法
无机非金属材料 磁控溅射 纳米微晶态
2009/10/16
使用一种配套于磁控溅射设备的基片液氮冷却装置制备了小颗粒度纳米微晶NiOx电致变色薄膜. 当溅射参数完全相同时, 借助于对基片的冷却可有效控制并降低NiOx薄膜的晶粒尺度. 冷却基片所制备的NiOx薄膜的电致变色性能明显优于室温时制备的薄膜, 且该薄膜的O/Ni比率也明显高于室温时制备的NiOx薄膜的O/Ni比率.
真空退火La0.7Sr0.3MnO3薄膜的光诱导特性
无机非金属材料 稀土掺杂锰氧化物 氧空位
2009/10/16
用溶胶--凝胶(Sol--gel)法制备La 0.7 Sr 0.3 MnO 3(LSMO)靶材, 用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO 3(012)基片上沉积出厚度约为187 nm的LSMO薄膜, 研究了真空退火对薄膜的输运和光诱导特性的影响. 结果表明, 薄膜的相变温度随着退火时间的增加而降低, 薄膜的电阻率升高. 在低温金属相光照使电阻率降低, 在高温绝缘相光照则使电阻率升高. 随着退火时间...
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
无机非金属材料 6H-SiC薄膜 低压CVD
2009/3/12
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用AlN过渡层,制备出结晶质量更好的Si...
Fe和Fe3O4硫化制备的FeS2薄膜的性能
Fe Fe3O4硫化 FeS2薄膜
2009/3/12
用溅射Fe和电沉积Fe3O4先驱体硫化制备出FeS2薄膜,研究了不同先驱体对硫化过程和FeS2薄膜性能的影响.结果表明,两种先驱体结晶成的FeS2能够在一定程度上保留先驱体形貌特征.Fe生成FeS2的热力学驱动力比较高,虽然可能生成FeS的过渡相;Fe硫化生成的薄膜平整致密,晶粒生长比较充分,尺寸较大,其禁带宽度接近理论值.Fe3O4硫化生成FeS2的热力学驱动力较低,生成的薄膜表面疏松多孔,晶粒...
采用硫化法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备硫化钨薄膜, 研究了硫化温度对薄膜性能的影响. 结果表明, 硫化温度对硫化钨薄膜的表面形貌和结晶率有明显影响, 但对膜层的化学成分影响不大, 薄膜能够有效改善不锈钢基体的摩擦学性能. 随着硫化温度的升高, 摩擦系数降低, 测试环境和测试条件对薄膜的摩擦系数也有一定影响.
TiN纳米薄膜的高硬度及其产生机制
无机非金属材料 TiN纳米薄膜 超高硬度
2009/3/6
用脉冲直流多弧离子镀方法在W18Cr4V高速钢基体上沉积具有纳米结构的TiN薄膜,
用XP纳米压入仪测量薄膜的硬度, 研究了其硬度产生的机制. 结果表明,
厚度为2--3 μm、晶粒尺寸约为13--16 nm的TiN薄膜, 硬度为36--43 GPa,
远高于TiN的本征硬度(22--24 GPa). 高温去应力退火实验证实,
具有纳米结构的TiN薄膜的超高硬度不仅是由沉积过程中载能粒子轰...