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搜索结果: 1-3 共查到电子技术 薄膜晶体管相关记录3条 . 查询时间(0.43 秒)
近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了独立双栅非晶IGZO薄膜晶体管紧凑建模的最新研究成果。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其极低的漏电流和低温工艺等特点,近些年在柔性显示、存储器和三维集成等方面愈发到关注。独立双栅(IDG)a-IGZO TFT由于其更大的开关比和对阈值电压的调控能力成为当前工业界的选择。要进一步评...
近日,山东大学微电子学院纳电子中心、英国曼彻斯特大学、中科院半导体所三方合作在高速非晶氧化物半导体薄膜晶体管方面取得了进展,使非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管的截止频率超过了1GHz,相当于每秒可以工作10亿次。这是目前非晶氧化物半导体薄膜晶体管的最快纪录,达到了国际领先水平。相关成果已在线发表在IEEE Transactions on Electron Device(Vol. 65 (...
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域,印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好,而且碳纳米管构建的晶体管等电子元件具有发热量更少以及运行频率更高等优点,同时碳纳米管容易实现溶液化,分离纯化后的半导体碳纳米管印刷墨水...

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