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氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家重点基础研究发展规划项目（973）。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家高技术研究发展计划项目（863）。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目
中国科学院 半导体材料 科研项目 自然科学基金
2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：可调谐外腔半导体激光器
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 可调谐 外腔半导体 激光器
2023/11/23
中国科学院深圳先进技术研究院专利：可调谐外腔半导体激光器
中国科学院合肥物质科学研究院专利：基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的气体流速测量仪
中国科学院合肥物质科学研究院专利：可调谐半导体激光吸收光谱温度实时监测仪
分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高要求。
中国科学院西安光学精密机械研究所专利：一种高速气体携带制冷剂冷却微通道半导体激光器的方法及装置
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年发表论文。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2021年授权发明专利。