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氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
中国科学院半导体所研制出超高集成度光学卷积处理器（图）
半导体所 超高集成度 光学卷积处理器
2023/5/31
2023年5月31日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室微波光电子课题组李明研究员-祝宁华院士团队研制出一款超高集成度光学卷积处理器。相关研究成果以Compact optical convolution processing unit based on multimode interference为题，发表在《自然-通讯》（Nature Communications，DOI：10.1...
半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
中科院半导体所红外及太赫兹光电技术研讨会预告
红外及太赫兹光电技术 研讨会
2015/11/12
近年来，我国的红外及太赫兹激光技术、探测技术、激光与探测集成的传感技术等已取得重要进展，并正在逐步推进在环境、医学、通讯、生物和医学成像、毒品和生化危险品检测、物理和化学分析、安全反恐等领域的应用。
《自然》报道中科院半导体所光催化研究成果
半导体所 光催化
2009/3/26
最近，中科院半导体所李京波小组与美国的合作者通过“剪裁”二氧化钛的能带结构，设计了一种增强二氧化钛的光催化效率的有效方法。该成果的学术论文于3月17日成为《自然》杂志网站中的“亮点论文”。