搜索结果: 46-56 共查到“电子科学与技术 半导体激光”相关记录56条 . 查询时间(0.137 秒)
该器件系利用半导体激活介质具有极高增益的特点，对输入的微弱光信号进行直接的光放大。具有高增益、低噪声、频带宽的特点，可以在光纤通信系统中作为中继放大、前置放大器或双向放大器以及在相干通信系统中作为多信道放大器。其主要指标为：光纤－光纤（单模）净增益14～17dB；增益带宽±20nm；中心波长1.3um；输出信噪比大于30dB（输入光功率为-30～35dBm）。
半导体激光器电源的保护器
半导体激光器 电源 保护器
2008/10/13
一种半导体激光器电源的保护器，主要用于半导体激光器驱动电源中对半导体激光器的保护。半导体激光器的驱动电源回路通过三只限流电阻串联组成的回路输出工作电流。继电器同第二限流电阻并联，并通过继电器两常开触点输出电流。有两只互锁开关分别控制继电器启动电路和予置负载。两只互锁开关总是一闭合另一断开。所以能够使得驱动电流源回路的工作开关与驱动开关分开，半导体激光器在不工作时两极短接，永远处于安全状态。
半导体激光器光纤模块耦合
半导体激光器 光纤器件 光纤耦合模块
2008/9/26
系统地研究了光纤制造工艺及光纤性能，攻克了MCVD工艺电高温快速沉积、预制棒炸裂、超大芯径片、光纤强度等难题。研制成功了大功率半导体激光器耦合及传输专用光纤系列。该光纤具有耦合率高、芯径比大、损耗低、强度高、光纤耦合头易于处理及成型，主要技术性能指标达到国外同期产品水平，填补了国内空白。
减反膜有效性及镀膜半导体激光特性的研究
减反膜 半导体激光 载波
2008/9/3
本项目根据LD的特性研究如何通过正确地选择最小反射所处的波长来提高减反膜的功效，实际起作用的反射率尽可能的低。同时还将研究由于非对称性而引起的LD特性的变化，这对通过镀减反膜扩大镀减反膜的半导体激光二极管应用范围及优化相关器件具有重要价值。本课题采用的射线法对多段式半导体激光器端面输出谱进行了研究，该种方法自发辐射是产生于有源层内各点这一物理事实，同时还以递推公式的形式给出了nSLD输出谱的解析表...
用于半导体激光器的温控仪
半导体激光器 温控仪
2008/8/22
这种用于半导体激光器的温控仪的结构为：预置温度电位器通过放大器和调零电位器及温度感应电路通过第一差分放大器与第二差分放大器相连，第二差分放大器经过正反向跟随放大器和含有两只场效应管的电流放大控制电路连接到第三差分放大器和反馈电路，第三差分放大器通过电流控制电路连接到致冷器。由于反馈电路的反馈电流由电流控制电路提供，因而具有致冷速度快，稳定可靠的优点。
用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究
激光器 半导体激光器 泵浦激光器阵列 放大器
2008/8/22
该项目主要成果有：研制出高质量808nm大功率半导体激光器材料：波长(808.7±3)nm，阈值电流密度300-400A/cm^2，2英寸材料生长均匀性比较好，具备提供小批量激光器单管所需材料的能力；研制出高质量808nm大功率半导体激光器单管：室温连续工作，波长(808.7±3)nm，1W工作寿命超过3000小时，1.5W工作寿命超过2000小时；研制出高质量808nm大功率半导体激光器阵列：室...
日本开发出波长极短的半导体激光
波长极短 半导体激光
2008/7/29
日本科研人员不久前开发出了波长极短的紫外线半导体激光，这项成果有望催生容量大于蓝光光碟的下一代光碟。
据日本《朝日新闻》2008年7月28日报道，滨松光子学公司中央研究所的研究人员以化合物氮化镓铝为发光层，在室温环境下生成了波长342.3纳米的紫外线半导体激光。此前，科研人员运用其他先进工艺曾开发出波长约350纳米的半导体激光。
用于读写光碟的可见光、紫外线等的波长越短，光碟可容纳...
摘要:实验研究了宽接触条形双外腔反馈半导体激光器，在该激光器的输出表面镀增透膜，反馈是由高反射率平面镜和闪耀光栅组成，通过调整平面镜和光栅的倾斜角度，使得特定的空间模式和纵模注入半导体激光器，使之产生振荡，并抑制了激光腔内振荡的其他横模和纵模数，从而输出单瓣近衍射极限的激光束。同时在腔内插入标准具，使得输出激光线宽达到0.02 nm，输出功率在150 mW。输出光束的光束质量因子M2为1.16。
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经过外延生长和腐蚀分离后，直径为1~10 µm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦，对该类器件均实现了脉冲和连续激射，输出波长在1.5~1.525 µm之间，在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109 µW，激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。
中国德国半导体激光表面技术研讨会在上海交通大学召开（图）
半导体激光表面技术 材料表面处理 激光制造
2006/8/30
由上海交通大学、上海市汽车工程学会、德国不来梅大学共同主办的“中德半导体激光表面技术研讨会”（Sino-Germany Workshop on Laser Surfacing Technology with Diode lasers），于2006年8月25日在上海交通大学闵行校区激光制造实验室圆满召开。该会议的议题是“半导体激光表面处理技术”，主要讨论了激光表面处理技术的现状及前沿和半导体激光表面...