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中国科学院金属研究所专利：一种γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法
中国科学院金属研究所专利：片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法
研究Ti-47.5Al-2Cr-2Nb-0.2B全片层组织室温变形结构中γ/γ片层间变形协调行为。引入多晶体塑性变形的几何协调因子m，并利用矩阵分析方法计算120˚旋转有序型、真孪晶型和伪孪晶型γ/γ界面两侧片层中各种滑移系之间的m值，与实验结果比较发现，通过计算m值可以预测不同类型γ/γ界面两侧片层中的有效滑移系，120˚旋转有序型γ/γ界面几何协调性最好，1/6 {112]...
采用拉伸变形方式，在285—1273K范围内测定了具有近全片层组织的γ－TiAl合金（Ti-47Al-2Mn-2Nb-0.8TiB2）在屈服点的热激活参量：激活体积V,激活焓△H，激活自由焓△G和激活熵△S；据此推断控制γ－TiAl合金拉伸形变的微观位错机制．发现在实验温度范围内，存在着三个温度区间，分别对应三个不同的可能热辅助位错运动机制：在低温温区（285—398K），位错运动阻力主要是Pei...