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中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/8/13
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
我国第一片8英寸键合SOI晶片研制成功
8英寸 SOI晶片
2008/12/2
记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，近日，该所研究员王曦领导的SOI研究小组，在上海新傲科技有限公司研发平台上，通过技术创新，制备出我国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。
北京大学微电子学研究院纳电子器件与集成电路研究室成立于80年代初。从“九五”、“十五”开始，针对亚100nm、亚50nm集成电路技术中新结构器件、相关物理问题分析、关键工艺制备技术等方面进行研究，同时开展了SOI射频电路、数模混合电路的相关研究，取得了一系列创新性成果。获得“七五”国家科技攻关重大成果奖；国家“八五”科技攻关重大成果奖等。