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中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路
山东大学信息科学与工程学院 数学电子技术 课件（大连理工制作版本） 第3章 第2节 CMOS门电路
2017/4/25
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路。
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展（图）
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/4
近日，中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展，完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估，较原有光源在各项关键指标上有显著提升，保证了先进节点中光刻工艺的稳定性，确保后续研发进程的顺利进行。
西南交通大学信息科学与技术学院数字电子技术课件第四章 CMOS器件。
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit
CMOS Phase Modulation I/O Interface Circuit
2015/8/14
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit.
CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究
COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷
2015/3/30
为了表征CMOS反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加而减小，遵循1/f噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系，验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件...
2014年12月2—4日，中国科学院微电子研究所举办了 Si基CMOS器件及光电器件技术高级研讨培训班。本次培训获得了院人事局培训资金的支持，共分六个主题研修内容，分别由中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心四位中组部“千人计划”专家、两位国际知名学者主讲。院内外从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者及研究生共近200人参加了培训。
On-Chip True Random Number Generation in Nanometer CMOS
True Random Number Generation Process Variation Circuit calibration
2014/12/8
On-chip True Random Number Generator (TRNG) forms an integral part of a number of cryptographic systems in multi-core processors, communication networks and RFID. TRNG provides random keys, device id ...
Cryptographic Circuit Design In Nanometer CMOS Technologies
Applied sciences Cryptographic circuit design Nanometer CMOS Embedded system security Hardware trojan Low-power design Physical unclonable function Process variation Side-channel analysis
2014/11/7
As increasingly important modules in modern embedded systems, cryptographic circuits rely on provable theorems to guarantee hardware security and information privacy. However, perfect security on sili...
应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计
光接收机 CMOS前置放大电路 跨阻放大器 限幅放大器
2014/9/24
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 mVpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 fF时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 dBΩ,-3 dB带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 ...
抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计
CMOS体驱动 低电压放大器 抗电磁干扰 直流非线性
2014/7/4
基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验...
本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3...