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中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展。2024年8月7日，相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors）为题，发表于国际学术期刊...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在三维相变存储器电路设计研究取得系列进展（图）
三维相变 电路 模型
2024/7/18
2024年7月18日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队，在三维相变存储器（3D PCM）亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展，成果发表在国际学术期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得进展（图）
导热膜 电子器件 纳米材料
2024/6/26
石墨烯导热膜是电子器件和系统重要的热管理材料。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室丁古巧团队在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得重要进展。通过建立亚微米-微米氧化石墨烯原料横向尺寸与导热膜热导率之间的联系，该工作深化了3000 ℃ 高温下氧化石墨烯组装体还原重组过程的理解，为组装石墨烯等二维材料构建高性能宏观体提供了新思路。
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术（图）
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/9
2024年5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）为题，发表在《自然》（Nature）上。
南京邮电大学承办第八届集成电路与微系统国际会议（图）
南京邮大 集成电路 微系统 ICICM
2023/10/30
2023年10月20日至23日，由东南大学、电子科技大学、南京邮电大学联合主办，南京邮电大学承办，CAS、IEEE联合协办的2023第八届集成电路与微系统国际会议(ICICM2023）在南京举行。
上海微系统所助力研制超导神经形态处理器原型芯片 “苏轼（SUSHI）”（图）
超导神经 芯片苏轼 集成电路
2023/10/16
中国科学院计算技术研究所尤海航研究员、唐光明研究员带领的研究团队与中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“上海微系统所”）任洁研究员团队联合攻关，研制了超导神经形态处理器原型芯片“苏轼（SUSHI）”，它是一款基于超导单磁通量子（SFQ）电路的超导计算芯片。该芯片利用上海微系统所超导集成电路设计平台展开设计，采用上海微系统所自主研发的SIMIT Nb03超导集成电路工艺（配备PDK及单元库...
上海微系统所成功研制微型高精度集成钻石量子电流传感器（图）
集成钻石 量子电流 传感器
2023/9/30
电动汽车、智能电网、高速列车等众多新兴工业应用的快速发展对高精度的电流传感器有了更高的要求。与传统电流传感器相比，基于量子效应的传感装置可以利用量子态操控技术来大幅提高测量的精度。这些明显的优势使得基于量子效应的电流传感器在各种应用中具有广泛的应用前景。
上海微系统所阐明砷在双向阈值开关中的作用机制（图）
毒性元素 半导体 材料砷化镓
2023/9/30
砷（As）是一种高毒性元素，但长期以来一直被广泛用于半导体制造: 通过将砷注入硅衬底制造N型半导体; 同时，砷也是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。此外，砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程有着不可或缺的作用，而相变存储器是一种新兴的存储器技术、，可填补现代计算机中闪存和内存之间的巨大性能鸿沟。早在 1964 年，Northover 和 Pearson 就在砷基铬化物（即 ...
2023年9月20-22日，中国电子元件行业协会混合集成电路分会（简称“中电元协混合分会”）第九届会员大会、第二十二届全国混合集成电路学术会议暨微系统研讨会在苏州市成功召开，中电元协古群常务副理事长出席会议，中电元协混合集成电路分会会员代表、电子科技大学、华中科技大学、中南大学、中国电子科技集团公司信息科学研究院、航天科工微系统技术有限公司、西安空间无线电技术研究所、山东航天电子技术研究所、德国贺...
上海微系统所在超导EDA算法研究方面取得重要进展（图）
集成电路 电子设计 磁通量子
2023/9/28
最近，中国科学院上海微系统与信息技术研究所任洁研究员团队在超导集成电路电子设计自动化技术（EDA）研究领域取得了重要进展。研究团队提出了一种基于大规模有限状态机（FSM）分解的超导单磁通量子（SFQ）逻辑时序电路综合方法，利用超导SFQ逻辑门自身的特性与优势提升SFQ时序电路的性能，相关成果于2023年10月以题为“Sequential Circuits Synthesis for Rapid S...
上海微系统所成功研制移动式高效率超导单光子探测系统（图）
超导 单光子探测系统 量子
2023/9/20
2023年9月20日，中国科学院上海微系统所李浩、尤立星团队和赋同量子科技（浙江）有限公司合作，成功研制了基于小型液氦杜瓦（工作温度4.2K）、在1550nm波段系统探测效率超过70%的移动式超导单光子探测系统，为未来开展基于移动平台（机载、车载等）的高性能单光子探应用铺平了道路。相关研究成果以《在1550nm波段探测效率超过70%的移动式超导条带光子探测系统（Mobile superconduc...
近日，东南大学集成电路学院、MEMS教育部重点实验室黄晓东教授课题组在国际著名期刊《Nature Communications》上发表题为“微电池与薄膜电子集成构建InGaZnO透明集成微系统”的论文，报道了集能量、信息、传感等多功能为一体的透明式集成微系统。
上海微系统在超导3D纳米桥结的基础研究方面取得重要进展（图）
超导器件 纳米 电路
2023/8/18
最近，中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员的研究团队在超导约瑟夫森结物理与电学表征基础研究领域取得了重要进展。研究团队通过微纳加工与测量表征技术相结合，成功实现了超导3D纳米桥结电流相位关系的精确测量，并揭示了约瑟夫森桥结的电流相位关系随着其几何尺寸缩放的变化规律，为进一步深入研究超导约瑟夫森结的物理与应用提供了有效的实验与分析表征方法。相关成果于2023年8月13日以题为“...
上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。