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基于熔融玻璃的预沉积法生长毫米级单晶MoS2及WS2-MoS2异质结
二硫化钼 熔融玻璃 化学气相沉积 异质结
2022/2/20
MoS2是一种具有优异光电性能和奇特物理性质的二维材料，在电子器件领域具有巨大的应用潜力。高效可控生长出大尺寸单晶MoS2是该材料进入产业应用所必须克服的重大难关，而化学气相沉积技术被认为是工业化生产二维材料的最有效手段。本文介绍了一种利用磁控溅射预沉积钼源至熔融玻璃上，通过快速升温的化学气相沉积技术生长出尺寸达1mm的单晶MoS2的方法，并通过引入WO3粉末生长出了二硫化钼与二硫化钨的横向异质结...
近期，中科院合肥研究院固体所功能材料与器件研究部赵邦传研究员课题组在MoS2锂/钠离子电池电极材料性能调控研究方面取得新进展，科研人员通过对材料的形貌进行优化设计，制备了一种高性能的纱球状MoS2电极材料，相关结果以“Yarn ball-like MoS2 nanospheres coated by nitrogen-doped carbon for enhanced lithium and so...
近期，中科院固体所功能材料研究室赵邦传研究员课题组在MoS2锂离子电池(LIBs)电极材料研究方面取得系列进展，相关研究结果分别发表在ChemElectroChem 2019, 6, 1930-1938，Nanoscale, 2020, 12, 1144-1154，Small 2019, 15, 1805420上。
华中科技大学机械学院刘世元团队利用自主研制的光谱椭偏仪揭示2D-MoS2介电函数的层数依赖规律（图）
华中科技大学机械学院 刘世元 自主研制 光谱椭偏仪 2D-MoS2介电 函数 层数依赖规律
2018/12/17
2018年12月3日，知名光学期刊Advanced Optical Materials在线刊发了机械学院刘世元教授纳米光学测量团队关于二维硫化钼介电函数光学测量分析的最新成果“晶圆级二维硫化钼层数依赖的介电函数研究”（Layer-Dependent Dielectric Function of Wafer-Scale 2D MoS2）。机械学院博士研究生宋宝坤和博士后研究员谷洪刚为论文共同第一作者...
近日，电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心彭波教授及其研究团队在MoS2/YIG异质结谷电子学研究领域取得重要进展，其研究成果“Valley Polarization of Trions and Magnetoresistance in Heterostructures of MoS2 and Yttrium Iron Garnet”近期发表在国际顶级刊物《ACS Nano》上。彭波教...
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心在MoS2/CH3NH3PbI3异质结研究取得重要进展（图）
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心 MoS2/CH3NH3PbI3异质结研究
2016/6/8
电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心彭波教授及研究团队在异质结研究方面取得重要进展，系列研究结果近期分别发表在《ACS Nano》《2D Materials》《Nanoscale》等该领域的有重要国际影响的刊物上。界面电荷转移是光电器件领域中的核心科学问题。彭波教授开展了单层中S原子空穴设计与调控的研究，突破了型异质结的限制，实现了中的空穴向单层超快高效转移（320 fs，83%），达...