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本发明公开了一种无金属催化制备纳米碳材料的新方法。采用碳化硅高温热分解法,通过调变制备过程中的气氛实现了包括碳纳米管和石墨烯等纳米碳材料的高效、可控制备。此方法能够制备不含金属催化剂的高纯相纳米碳材料,从根本上克服了金属对纳米碳材料物理化学性质的影响。是一种简单、高效、重复性好的制备纳米碳材料的新方法。
本发明涉及介孔碳材料,具体地说是一种介孔碳材料的制备方法,(1)将络合剂与过渡金属化合物配成混合溶液;(2)在所制得的混合溶液中加入硅溶胶和碳前体,得混合物;(3)将所制得的混合物在25℃-110℃下,固化10分钟以上,之后在500℃-900℃下,惰性气体气氛中,碳化10分钟以上;(4)将上述步骤(3)所制得的产物先用碱液洗涤、之后酸液洗涤,然后再依次过滤、水洗涤、干燥,得到碳材料。本发明可以按照...
制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。
本发明提供了一种碳纳米管泡沫材料的制备方法。该方法以廉价的高分子泡沫为模板,通过控制实验条件使催化剂的原位生成、高分子模板的部分热裂解去除以及碳纳米材料的生长等过程同步进行,实现了碳纳米管泡沫的高效生长,其中碳纳米管沿着碳骨架三维方向缠绕交织成网状结构且具有多尺寸分布的孔径,所得材料具有大的比表面积和可控的孔隙率,良好的疏水性,优异的导电性,独特的空心骨架结构,在复合材料、传感、油水分离等领域具有...
本发明公开了一种生物质基氮掺杂多孔碳的制备方法及应用,该方法以价格低廉的纤维素氨基甲酸酯为原料,尿素为氮源,与氢氧化钠溶液混合均匀、干燥后形成溶胶,后经高温煅烧后制备出高比表面积、大孔容、多孔结构的生物质基氮掺杂多孔碳。经电镜照片显示:制备的材料为三维内交联的孔道结构,XPS和元素分析表明:氮元素成功的掺杂到碳基体中,氮含量为7.7?15.5%,比表面积为700?3700?m2/g。超级电容器实验...
本发明涉及一种化合物钾硼碳氧氯氢和钾硼碳氧氯氢非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物化学式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Cl·7H2O,分子量为1147.16,采用水热法制备,所得产物直接为晶体;该晶体的分子式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Cl·7H2O,分子量为1147.16,属于三方晶系,空间群为P 2c,采用水热法即得到钾硼碳氧氯氢非线性光学晶该晶体生长过程具有操作简单...
本发明涉及一种化合物钾硼碳氧溴氢和钾硼碳氧溴氢非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Br·7H2O,分子量为1191.61,采用水热法制备,所得产物为晶体,该晶体的分子式为K9[B4O5(OH)4]3(CO3)Br·7H2O,分子量为1191.61,属于三方晶系,空间群为P 2c,采用水热法,通过程序降温或自然降温的方法即可得到钾硼碳氧溴氢非线性光...
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种自支撑有序碳管阵列电极的制备方法及其应用
中国科学院合肥物质科学研究院专利:一种基于碳化硅管的铍基液态包层
本发明涉及一种含氮炭材料的制备方法及其二氧化碳吸附分离性能,具体说的是通过在活性炭表明聚合一种含氮化合物,经煅烧制备不同含氮量的多孔炭材料,并具有良好的二氧化碳吸附分离性能。制备步骤如下:将活性炭和吡咯超声分散在去离子水中,再将上述混合溶液在温度为20~80℃条件下,用过硫酸铵做催化剂反应4~10小时,然后抽滤、洗涤、干燥,在气体保护下于400~800℃条件下煅烧1-5小时得到含氮炭材料。本发明制...
本发明公开了一种双活性位修饰的氮掺杂介孔碳的制备方法及用途,该方法利用十二烷基磺酸钠作为牺牲模板,三聚氰胺树脂作为氮源,酚醛树脂作为碳源,六水合硝酸钴和六水合硝酸镍作为金属源,先合成了凝胶状前驱体,再通过两步热解的策略成功合成了双活性位点负载的氮掺杂介孔碳。合成的催化剂具有良好的介孔结构,有利于催化过程中的质量传输。热解过程形成的CoN4活性位使催化剂具备了较高的氧还原催化活性且催化过程接近理想的...
本发明涉及一种氮化铁和氮共掺杂的碳材料制备方法及用途,该方法涉及的装置是由原料罐、粉末输送管、物料混合罐、搅拌器、溶液配制罐、溶液输送管、悬浊液输送管、干燥机、粉末收集罐、连续式炭化炉、粉末洗涤罐、溶液喷洒管、溶液喷嘴、二次水储存罐、液体输送管、乙醇储存罐、出料口与储料罐组成,以生物质作为碳源,再掺入铁离子,并在氨气中进行热解,得到氮化铁和氮共掺杂的碳材料。该材料比表面积大,氮化铁分散均匀,氮化铁...
中国科学院金属研究所专利:一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备;阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...

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