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本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂,可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层,且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成,该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势,可应用于催化和吸附中。
中国科学院金属研究所专利:一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺,其特征在于:首先将 SiC纤维和铝合金预制体在固态条件下加压,使SiC纤维和铝基体充分接触; 然后再将复合材料在Al合金的固-液线之间保温,使基体处于半熔融状态, 破坏了氧化膜的连续结构,也增加了铝基体的流动性。本发明结合传统固 态热压法和液态法的优点,这种工艺不但可以促进基体之间的结合,而且 可有效抑制界面的有害产物的形成;从而明显改善SiC纤维/铝...
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0~50vol.%。具体合成方法是:以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10~40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5~20 MPa),在真...
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/Al2O3 复合梯度涂层的制备方法,按如下步骤操作:第一步,富碳涂层SiC纤维的制备; 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内; 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温;第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氧气,使气体充分混合; 第五步,启动射频反...
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN 复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作:第一步,富碳涂层SiC纤维的制备; 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内; 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温;第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氮气,使气体充分混合; 第五步,启动射频反应溅...
中国科学院金属研究所专利:一种SiC纤维表面C/AIN复合梯度涂层制备方法
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种多孔薄壁、高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能高、结构可控的SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法。所述SiC蜂窝陶瓷材料具有连续单一的类似于蜂窝形的整体结构,沿轴向有许多平行的通道,通道的形状可以是三角形、波形等;组成蜂窝结构的单位面积孔数可控制在100~5/cm2之间,孔壁厚度可控制在0.2~2mm之间;孔壁可以为致密结构,也可具有微孔结构;...
中国科学院金属研究所专利:一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法
中国科学院金属研究所专利:一种SiC纤维增强Ni合金基复合材料及其制备方法
本发明公开了一种C/C‑SiC复合材料部件的制造方法。本发明方法包括:步骤1、将碳纤维粉和酚醛树脂粉按照(3:7)~(7:3)的质量配比充分混合;步骤2、对步骤1所得到的混合料进行冷压成型,得到素坯;步骤3、对所述素坯依次进行预氧化处理、碳化处理,得到碳坯;步骤4、对所述碳坯进行反应渗硅处理,得到初步的C/C‑SiC复合材料部件;步骤5、在初步的C/C‑SiC复...
专利名称:一种三明治结构C-C-SiC复合材料及其制备方法。

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