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该课题组研究的LED-3000半导体激光器端面泵浦高重频激光内雕机,它由激光头、激光电源、声光调Q驱动器、高速振镜系统、电脑控制系统、Z轴升降系统、水冷机等部分组成。由于采用先进的DPSSL激光技术:大功率光纤耦合输出、端面泵浦的激光器,使其具有免维护、工作寿命长、工作频率高、功耗低、体积小、车辆底盘安全检查系统。主要应用于机场、海关、政府、公安、监狱、军事等安全保卫要求严格的重要场所,对进出这些...
该项目为实现理想的恒流特性,采用双极型恒流电路;合理设计1.2μmN阱自隔离BiCMOS兼容工艺,同时在线路和版图设计上实现数字和模拟的功能兼容;设计的N阱电路比P阱BiCMOS电路发生闩锁的几率要低,在版图设计时采取三重电源—地线隔离、双埋层等技术有效地抑制了可控硅效应。实施该项技术设计的专用集成电路集8/16位串行数据输入/输出、串并转换、并行锁存和恒流功率驱动于一体,是数据兼容和BIPOLA...
该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术,克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配,在第一代半导体硅材料上,制备出高质量的第三代半导体GaN材料,成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构,通过优化生长技术,制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料,攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性...
This paper reports an 80 Mbit/s OOK-NRZ Visible Light Communications experimental link using a single pre-equalized 45-MHz bandwidth white LED.
简要评述了近年来碱土金属硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料的研究结果与最近进展, 其中富Sr相的(Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:Eu2+和(Sr, Ba, Ca, Mg) 3SiO5:Eu2+具有很宽的激发带, 对450~480 nm的蓝光有很强的吸收, 分别呈现绿色和橙红色发光, 是一种高效的蓝光LED芯片用白光LED发光材料, 其封装发光效率达到70~80 lm/W, 色温46...
第十一届全国LED产业与技术研讨会议将于2008年9月在江苏镇江召开,这是继2006年9月大连会议后的又一次全国性重大行业活动,为全国从事LED及相关领域生产、研究和教学的科技和管理人员提供交流的机会,促进我国LED技术创新和产业发展。本届会议拟组织特邀报告、大会交流、专题讨论和产品、样品宣展等活动。热诚欢迎大陆和港澳台广大科研人员、工程技术人员和管理人员积极撰写论文,并到会交流,展示最新研究成...
我国LED显示屏跻身世界先进行列          2008/1/21
成功研制世界首台“点阵模块全彩色LED超高均匀度显示屏” 中科院长春光机与物理研究所长春希达电子技术有限公司历经十多年的科技攻关,于近日研制出世界首台“点阵模块全彩色LED超高均匀度显示屏”。据研制负责人王瑞光研究员介绍,该LED显示屏的核心是拥有完全自主知识产权的“适合大规模批量化生产的LED显示屏亮度、色度逐点一致化校正技术”,这一成果已申请了12项专利,其中国家发明专利9项。掌握这一技...
首次报道单一sr:Mgsi0 :Eu 材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250~450 nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400 nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20 mA时,色温为5 664 K;发光色坐标为 =0...
设计了利用多颗LED(Light Emitting Diode,发光二极管)阵列组成的扩展面光源.经过合理的聚光设计使之符合某些投影设备对亮度要求不是很高,但结构紧凑、性能稳定、使用寿命长的要求.结合数学建模和软件模拟的方式设计了一种小巧的反光杯,利用反光杯把LED近180°的发散光束汇聚到60°左右;然后再用一一对应的透镜阵列汇聚为平行光;最后采用柯勒照明方式把较大的面光源阵列汇集到LCD投影屏...
采用透镜组扩大光束、透镜阵列聚焦和点阵光曲面聚集光能三种光路设计,通过选择各光源中的四个工作参数调节光源输出的辐射照度,本文研制出可用于动物细胞和组织培养使用的、不同强度的三种新型LED生物光源,并使用统计分析软件SPSS拟合得出它们的辐射照度经验计算公式.

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