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日本研发在晶片上形成GaN元件功率半导体的关键技术
氮化镓晶片 GaN元件功率半导体关键技术 GaN晶片 晶片
2017/2/23
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)晶片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术,GaN晶片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化,将处于世界优势地位。
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统所召开(图)
先进工艺 研讨会 召开
2010/1/27
1月26日下午,应上海微系统所邀请,United Monolithic Semiconductors(UMS)工艺经理Eric Leclerc 和UMS(亚太区)销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持,近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况,UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍,目前中国占领UMS流片代工业...