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2018年11月30日,国家自然科技基金创新研究群体“大数据存储系统与技术”项目启动及研讨会在武汉光电国家研究中心召开。信息存储是信息技术的核心组成部分之一,更是大数据环境下的一个极具挑战性问题。“大数据存储系统与技术”创新研究群体依托武汉光电国家研究中心、信息存储系统教育部重点实验室、数据存储系统与技术教育部工程研究中心等一批重要基地而建设,以服务国家重大需求为宗旨,聚焦信息存储技术前沿,围绕适...
2018年11月21日,由西安交通大学牵头的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目启动会暨项目实施论证会在西安召开。中国科学院院士黄如、龚新高、徐红星,科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅,陕西省科技厅副厅长史高领,西安交大党委常务副书记王小力、电信学院书记梁莉、材料学院院长单智伟,以及相关教授专家、参研单位和项目负责人等80余人出席启动会。西安交大科...
2018年10月29日,清华大学-SK海力士智能存储计算芯片联合研究中心揭牌仪式在工字厅举行。SK海力士总裁郑泰圣,北京市教委科研处副处长李善廷,清华大学副校长、未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政出席揭牌仪式。清华大学科研院副院长、未来芯片技术高精尖创新中心副主任邓宁主持仪式。尤政表示,围绕创建世界一流大学的目标,清华大学一方面要培养社会和科技需要的人才,一方面要深度参与国家创新驱动发展战略。清华...
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在量子存储领域取得新进展,该团队李传锋、周宗权等人成功研制出多自由度并行复用的固态量子存储器,在国际上首次实现跨越三个自由度的复用量子存储,并展示了时间和频率自由度的任意光子脉冲操作功能。该成果于8月24日发表在国际期刊《自然-通讯》上。由于不可克服的光纤信道损耗,目前地面安全量子通信距离被限制在百公里量级。基于量子存储器的量子中继方案可以有效克服信道...
由捷克科学院物理研究所负责协调的欧盟反铁磁性自旋电子学(ASPIN)研究项目,发现一种新型记忆材料,可提升数据读写速度近千倍,或将改变数据存储方式。该研究团队今年在《Science Advances》,《Nature Nanotechnology》和《Nature Communications》的杂志上发表了一系列关于反铁磁自旋电子学的文章,《Nature Physics》还为该研究发行了特别版。...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组针对三维垂直型存储器,从理论上总结了芯片速度受限的原因和偏置方法的相关影响,提出了新型的偏置方法和核心电路,相关成果以研究长文的形式发表在2018年7月的国际超大规模集成电路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, ...
近期,重庆大学航空航天学院徐朝和研究员、胡宁教授领导的多功能复合材料与器件团队与校内外合作者在面向空间应用的新型高比能 高功率空间电源系统领域取得了系列重要研究进展。
2018年6月11日,华中科技大学腾讯公司智能云存储技术联合研究中心成立暨揭牌仪式在武汉光电国家研究中心举行,副校长骆清铭和腾讯公司副总裁王巨宏共同为联合中心揭牌。骆清铭和王巨宏分别致辞,对联合研究中心的成立予以充分肯定,并希望通过该中心的成立,能促进校内基础研究与实际业务系统的深度融合,能进一步促进腾讯公司与华中科技大学在云存储等方向的科学研究与人才培养方面的深度合作。据了解,我校与腾讯公司在云...
2018年6月2-6日,第45届国际计算机体系结构大会(International Symposium on Computer Architecture,简称ISCA)在美国洛杉矶召开。清华大学微纳电子系博士生涂锋斌在会上做了题为《RANA:考虑增强动态随机存取存储器刷新优化的神经网络加速框架》(RANA: Towards Efficient Neural Acceleration with Re...
2018年5月22日,陕西省科学技术奖励大会在陕西宾馆召开。陕西省委书记胡和平为2017年度陕西省基础研究重大贡献奖获奖人颁发证书,陕西省省长刘国中出席会议并发表重要讲话。我校张炜书记参加了会议。陆治原副省长主持会议并宣读《陕西省人民政府关于2017年度科学技术奖励的决定》,2017年度陕西省科学技术奖共授奖257个项目。其中,一等奖38项、二等奖112项、三等奖107项。我校获得陕西省科学技术一...
近日,浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组研发出一种低成本、低功耗的新型存储器。这项基于可工业化生产的半导体集成电路制造工艺的工作,将大幅提高数据交换速度,降低网络芯片的制造成本,进而从理论上为“万物互联”打下基础。同时,还可为数据“打上”标签,为未来物联网社会增添更多想象。
二维层状半导体材料是层内以强的共价键或离子键结合而成,而层与层之间依靠弱的范德华力堆叠在一起的一类新型材料。通常其表面没有化学悬键,这个特征使载流子免于表面粗糙度及陷阱态的影响,从而能够获得较高的载流子迁移率。但超薄的特性导致其具有小的吸收截面,二维的尺寸限制和低的静电屏蔽导致二维材料具有大的激子束缚能,而且强烈的库伦相互作用也会通过俄歇过程增加光生电子空穴在缺陷处的复合。这些弊端都限制了二维材料...
“写入速度”与“非易失性”难以兼得是半导体电荷存储技术中的一个难题。张卫、周鹏教授团队围绕这一难题,继2017年在Small上报道利用二维半导体的丰富能带结构特性解决电荷存储技术中的“过擦除”现象后,近期采用多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管(如图)。在该新型器件中,二硫化钼、二硒化钨构成PN结用作开关电荷输运,二硫化铪、氮化硼形成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结用于电荷储存。测试结果表明,这种...
近日,河北省自然科学基金委公布,我院教师闫小兵以优异的科研成绩获得了2018年度河北省杰出青年科学基金项目。近年来,我院教师闫小兵教授先后主持了国家自然科学基金面上项目、国家自然基金青年项目(已经结题)、省自然基金面上(已经结题)、省优秀青年基金、留学人员科研启动择优资助等多项科研项目。参与国家“863计划”项目课题“固体电解质纳米相变存储器研制”(2006AA03Z303)和“高密度存储与磁电子...
近日,信电学院赵毅教授课题组关于三态内容寻址存储器(Ternary Content Addressable Memory,TCAM)的论文被2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits(简称VLSI Symposia)接收。该项工作利用半导体集成电路工艺,设计并研制出了新型的基于记忆二极管的三态内容寻址存储器。VLSI Symposia是半导体技术集成...

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