搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子技术 CMOS”相关记录53条 . 查询时间(0.167 秒)
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit
CMOS Phase Modulation I/O Interface Circuit
2015/8/14
As CMOS 160Mb/s Phase Modulation I/O Interface Circuit.
CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究
COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷
2015/3/30
为了表征CMOS反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加而减小，遵循1/f噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系，验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件...
On-Chip True Random Number Generation in Nanometer CMOS
True Random Number Generation Process Variation Circuit calibration
2014/12/8
On-chip True Random Number Generator (TRNG) forms an integral part of a number of cryptographic systems in multi-core processors, communication networks and RFID. TRNG provides random keys, device id ...
Cryptographic Circuit Design In Nanometer CMOS Technologies
Applied sciences Cryptographic circuit design Nanometer CMOS Embedded system security Hardware trojan Low-power design Physical unclonable function Process variation Side-channel analysis
2014/11/7
As increasingly important modules in modern embedded systems, cryptographic circuits rely on provable theorems to guarantee hardware security and information privacy. However, perfect security on sili...
应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计
光接收机 CMOS前置放大电路 跨阻放大器 限幅放大器
2014/9/24
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 mVpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 fF时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 dBΩ,-3 dB带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 ...
抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计
CMOS体驱动 低电压放大器 抗电磁干扰 直流非线性
2014/7/4
基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验...
本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3...
像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用...
介绍了一种带有可重构的波特率有限冲激响应型均衡器的高速背板发射机电路.均衡器可以根据需要设置为基于脉冲幅度调制编码的数据中心优化型二电平均衡器和四电平均衡器、边沿优化型均衡器和双二进制均衡器,以及两倍速过采样均衡器.给出了均衡器设计与优化的步骤和公式,并利用90nm CMOS工艺制作了测试芯片.在40in背板上数据率为每秒10 Gbps的实验结果较好地符合了理论分析和设计目标.当电源电压为1.2V...
吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计
吉尔伯特型混频器 零中频 CMOS工艺 设计
2012/4/25
利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术，应用CMOS工艺，利用Candence设计了一款1.8 V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示，混频器在1 MHz，100 kHz，10 kHz处的单边带噪声系数为6.109，6.71，10.631 dB，频率转换的增益为11.389 dB，输入的3阶交调点为4.539 dBm.
介绍了一种新型的I-V 特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device, NRT), 该器件使用上华0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor, CMOS)工艺制造. 为节省器件数目, 此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型, 而是将一个金属氧化物半导体场效应晶...
该文基于65 nm CMOS低漏电工艺，设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200 kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register，SAR) A/D转换器(Analog-to-Digital Converter，ADC) IP核。在D/A转换电路的设计上，采用“7MSB (Most-Significant-Bit) + 3LSB (Least-Si...
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...
CMOS-MEMS体硅陀螺的系统仿真
陀螺电学模型 CMOS-MEMS体硅陀螺 工艺误差 系统仿真
2010/4/9
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径，但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型，实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真，陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析，从而能够了解它们相互之间的影响，更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。