工学 >>> 核科学技术 >>> 辐射物理与技术 核探测技术与核电子学 放射性计量学 核仪器、仪表 核材料与工艺技术 粒子加速器 裂变堆工程技术 核聚变工程技术 核动力工程技术 同位素技术 核爆炸工程 核安全 核燃料后处理技术 辐射防护技术 核设施退役技术 放射性三废处理、处置技术 核科学技术其他学科
搜索结果: 1-1 共查到知识库 核科学技术 PMOSFET相关记录1条 . 查询时间(0.132 秒)
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...