搜索结果: 1-2 共查到“知识库 光电探测器及光探测技术 SOI”相关记录2条 . 查询时间(0.05 秒)
部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
绝缘体上的硅 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层
2009/7/29
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.