搜索结果: 1-14 共查到“知识库 材料表面与界面 Cu”相关记录14条 . 查询时间(0.5 秒)
热-剪切循环条件下SnAgCu/Cu界面化合物生长行为研究
热-剪切循环 SnAgCu 界面 化合物
2009/1/9
表面组装焊点界面行为对整个焊点可靠性有决定性的影响，研究钎料合金与印制电路板和器件金属化层间的界面行为对于发展表面组装软钎焊接头可靠性预测理论和测试技术、开发高可靠性软钎料尤其是环保型无Pb软钎料均具有重要的意义。本文对SnAgCu 无铅钎料合金/Cu界面热-剪切循环条件下的界面化合物生长行为进行了研究，结果表明：在热-剪切循环条件下，SnAgCu无铅钎料合金/Cu界面金属间化合物的生长速度比仅有...
在微电子互连结构中，反应界面化合物层的形貌及厚度是决定焊点可靠性的一个重要因素。本文通过向Sn-3.5Ag共晶焊料中添加第三元素，分别研究Zn和Ni元素对Sn-3.5Ag/Cu界面反应的影响。结果表明，对于Sn-3.5Ag/Cu界面，液态反应初始生成物为Cu6Sn5，在随后的热老化阶段形成Cu3Sn化合物层；Zn元素不影响界面的初生成相及其厚度，但在150℃老化阶段，Cu3Sn化合物的形成受到抑制...
多晶柱状Cu膜的表面粗化与织构
Cu膜 表面粗化 织构
2008/11/26
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜, 基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征. 结果表明, Cu(111)取向晶粒组分多的薄膜的生长指数较大、表面粗化速率较快. 对于较低温度下沉积的多晶柱状薄膜, 基于其晶粒几何形态和弱化的晶界限制的特点, 提出了一种表面粗化机制, 认为薄膜的表面粗化主要依赖于其晶粒表面的粗化过程, 而薄膜织构决定了薄膜表面粗化速...
Cu-Zn-Al双程记忆合金中Ⅱ类孪晶的界面观察
形状记忆合金 Ⅱ类旋转孪晶 孪晶界面
2008/11/20
用高分辨电镜观察了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ双程记忆合金中９Ｒ型热弹性马氏体内Ａ：Ｂ型变体对及其界面结构, 变体Ａ和Ｂ以「０１１」β（即「５９１」９Ｒ）为轴旋转了１８０°, 呈Ⅱ类孪晶取向关系. Ａ：Ｂ型变体对还具有（１１４）「１１０」９Ｒ, Ａ〃（１１４）「１９２」９Ｒ, Ｂ取向关系, 在这一取向下, 观察发现堆垛缺陷仅存在于变体Ａ中, 变体Ａ与Ｂ以共格界面相匹配.
对ＡｌＮ陶瓷基板进行了减压直流等离子体喷涂镀Ａｌ, 在基板表面形成厚度约２μｍ的金属Ａｌ薄层, 实现了Ａｌ与ＡｌＮ中的良好接合.
纳米晶Cu-Cr合金涂层在不同氧分压下的氧化
纳米晶 Cu-Cr涂层 氧化
2008/10/13
溅射纳米晶Cu-Cr合金涂层在700-800℃纯氧和空气中氧化后均形成了单一的Cr2O3膜,但两种气氛下生成的Cr2O3膜的形貌及合金的氧化增重不同,这主要与气氛中的氧分压不同及纳米晶Cr2O3膜的生长机制有关.
激光重熔PBGA钎料球与Au／Ni／Cu焊盘的界面反应
塑料球栅阵列 钎料球 激光重熔 界面反应
2008/10/8
研究了塑料球栅阵列(PBGA)钎料球激光重熔过程中钎料与Au／Ni／Cu焊盘之间的界面反应. 结果表明：界面处金属间化合物的生成与激光输入量能密切相关，当激光输入能量较小时，焊盘上的Au没有完全溶解到钎料中，界面处存在一层连续的AuSn2和一些垂直或斜向生长到钎料中的针状AuSn4化合物，增大激光输入能量，Au完全溶解到钎料中，界而处连续的AuSn2化合物层全部转化为针状AuSn4相，有部分AuS...
Cu-Sn界面上金属间化合物生长的抑制
金属间化合物 电子元件引线 隔离层 钎焊
2008/9/24
用金相和润湿力测定的方法研究了带不同隔离层的Cu线在热浸Sn和电镀Sn制备电子元件引线时仓储可焊性的变化.实验表明,Ni隔离层与Cu芯线的结合能力和保护能力最强,但只适用于350℃以下热浸Sn工艺.Co隔离层则可完满地适用至450℃.Fe隔离层由于热浸Sn时往往局部破裂,不能使Cu-Sn得到完全的隔离.Fe,Co,Ni隔离层在电镀法覆锡制备引线时均能获得良好的效果.
Cu/MgO界面位错的高分辩率电子显微镜研究
Cu/MgO界面 近重位点陈 失配位错
2008/9/11
用高分辩透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了取向关系相同的两种不同界面。并运用近重点陈模型对其界面结构进行了研究，求出了失配位错了3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量，它们分别为：失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好。
采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后,有序度增至0.6, 矫顽力达到421 kA/m. 对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.
共晶SnBi/Cu焊点界面处Bi的偏析
共晶SnBi/Cu焊点 偏析 界面反应
2008/8/1
利用SEM, TEM, XRD分析了共晶SnBi/Cu焊点经120℃时效7 d后界面组织结构的变化. 焊点界面处金属间化合物厚度由原来初始态的约2 um增至时效态的10 um, 并且化合物也由原来单一的Cu6Sn5转变为Cu6Sn5和Cu3Sn相. 进一步研究表明, 在Cu3Sn与Cu之间界面处偏析了大量尺寸约100 nm的Bi颗粒.双缺口试样的断裂韧性实验表明, 热时效促使焊点断裂韧性快速下降,...
铁在双相Fe-Cu合金中的内-外氧化
铁 铜 内氧化 外氧化
1999/5/10
三种Fe-Cu合金在氧分压低于氧化铜平衡分解压条件下的高温氧化结果表明，合金中同时发生了活泼组元铁的内氧化和外氧化。外氧化膜为单一铁的氧化物，内氧化区中氧化铁和金属铜继承了原始合金中两相的分布。内氧化区前沿的合金中未发现铁的贫化。这种氧化膜结构在单相合金中罕见而在双相合金中较为普遍，被认为是双相合金中两组元间有限的互溶度使得氧在合金中的过饱和程度比在固溶体合金中更强烈的结果。
TB2/Cu/TB2扩散焊的界面反应
钛合金 铜箔 扩散焊 界面
1999/4/29
通过OM，SEM，XRD，EDS，EPMA等分析测试手段，对采用Cu箔作中间夹层的TB2扩散焊界面组织、反应相生成及其生长规律进行了分析。依照Cu-Ti二元相图，选择扩散焊温度分别为1123 K, 1173 K和压 力为5MPa，经30，60，120min扩散焊后，Cu与Ti分别生成Cu3Ti2，CuTi，CuTi3，这三者都硬而脆，尤其是CuTi3的生成使界面的剪切性能严重恶化。