搜索结果: 211-225 共查到“知识库 粒子加速器”相关记录773条 . 查询时间(3.777 秒)
4MeV电子直线探伤加速器主要参数测量
剂量率
2008/12/10
在加速器中心轴线上距靶1m处,放置标准剂量计空腔电离室,此电离室放在160 mm×150 mm×150 mm的标准有机玻璃模体的最大剂量深度处,用标准次级剂量计进行测量。经激光对中后,在不同重复频率下,重复三次,测得最大吸收剂量率为4.11 Gy/min。
“若干驾驭混沌的新方法及在控制强流加速器中束晕混沌的应用”通过部级鉴定
束晕混沌 控制强流加速器
2008/12/10
“若干驾驭混沌的新方法及在控制强流加速器中束晕混沌的应用”通过部级鉴定。
1.2m迴旋加速器束流输运线性能的改进
束流输运线性能 迴旋加速器
2008/12/10
四川大学1.2 m迴旋加速器的一条束流输运线是由磁四极透镜对、15°偏转磁铁、93°分析磁铁系统组成,如图1所示。 我们采用的TRANSPORT-EM程序是一个运行在微型计算机IBM-PC/XT及其兼容
1.2米回旋加速器的磁场调整
磁场调整 2米回旋加速器
2008/12/10
本文叙述了苏联帮助我国建设的第一台回旋加速器的磁铁的主要数据、磁场的测量方法和调整步骤与结果。为了使调磁片不致因长期工作后发生移动,调磁片牢固地镶在铝盘上,而铝盘又牢固地固定在真空室上。调整后在r=525毫米处的磁场下降率为2％,在任何半径上方位角分布的一次谐波峰值没有超过3奥。 本文总结了调整磁场的一些经验,解决了测量技术上的一些问题,整理和分析了各种调磁片影响的结果。
1.2米回旋加速器内循环冷却水对铜管腐蚀和防腐的研究
X光 电子表面 分析技术
2008/12/10
本文用扫描电镜、俄歇谱仪、X光电子表面分析技术和失重法研究了1.2米回旋加速器高频机防蚀电极面各种水质中腐蚀产物的组成,找出了腐蚀原因,并提出了改进建议。
1.2米迴旋加速器磁场的重新调整
重新调整 1.2米迴旋加速器磁场
2008/12/10
1.2米迴旋加速器自调整出来以来,在磁场方面尚遗留下许多问题。根据实践和理论分析,可归纳为如下几点。 (1)磁场沿半径下降曲线的中心区梯度仅1.2高斯/厘米,距离设计指标相差一倍多;外调制环和外调制盘偏向罩筒方向5毫米。
1.2米迴旋加速器磁铁线圈检修
磁铁线圈检修 1.2米迴旋加速器
2008/12/10
中国科学院原子能研究所1.2米迴旋加速器运行了七年之后,由于磁铁线圈漏水于1964年底被迫停机。木文主要介绍1.2米迴旋加速器检修磁铁线圈的工作经验,它是在不动磁铁大梁的情况下从两磁极间一组一组更换磁铁线圈的,并在较短的时间内完成了检修任务。
1.5米迴旋加速器D型盒骨架打熔情况报导
D型盒骨架 1.5米迴旋加速器
2008/12/10
1.5米迴旋加速器正式投入运行半年后,发生一起D型盒铝骨架打坏事故。事故前的运行条件是频宽比为5,在第一组透镜前的7A靶上的流强是30微安。在发生事故时,曾发现真空
1.5米迴旋加速器实验室主厅及试验厅的防护大门
试验厅 1.5米迴旋加速器
2008/12/10
1.5米迴旋加速器实验室主厅及试验厅防护大门,是按照苏联的初步设计,在国内进行施工设计的。在结构上存在很多缺点,在加工制造及安装过程中遇到不少困难,苏联专家撤走后,在党的自力更生、备发图强方针的指导下,重新审查并修改了防护门的结构,把主厅升降门改为在轨道上移动的推拉式大水门,试验厅的升降门改为混凝土预制块填塞的洞口。为便于加工、安装及使用,圆转门的结构也作了相应的修改。
6MeV探伤加速器大口径薄窗密封型穿透电离室
电子直线加速器
2008/12/10
应用于6 MeV探伤加速器的大口径薄窗密封型穿透电离室采用双层密封和两个有效灵敏体积的结构,并采用95氧化铝作支撑、云母片金属镀膜作电极。电离室的线性好;电压在-600--800 V时,电离室能很好地饱和;灵敏度高,当电离室中心距靶135.5 mm、加速器中心轴线上距靶1 m处的剂量率为50 cGy／min时,电离电流大于1×10-7A;漏电流小于5×10-3A;对X射线吸收小于1％。
6MV医用电子直线加速器轫致辐射谱研究
医用电子直线加速器
2008/12/10
用衰减法对6MV医用电子直线加速器的轫致辐射X射线能谱进行测量,并利用模拟电子 光子耦合输运的Monte Carlo程序EGS4对已知的治疗头几何结构、靶材料和电子源等特征的医用电子直线加速器轫致辐射谱进行研究。实验测量结果和EGS4模拟计算结果符合较好。
70MeV质子加速器产生的白光中子源强度和能谱的计算
能谱 质子加速器
2008/12/10
用７０ＭｅＶ质子束轰击厚靶可产生白光中子源。选用金属钨作厚靶材料，应用适用于几十ＭｅＶ能区的核反应模型程序计算了中子能谱和角分布。结果表明：７０ｍｅＶ质子束在钨厚靶中终止前有４．６％的质子发生了反应，２００μＡ的７０ＭｅＶ质子束流产生的中子总强度为１．０１×１０１４Ｓ－１，中子平均能量为４．２ＭｅＶ，１０ＭｅＶ以上的中子强度为１．１５×１０１３Ｓ－１，高能中子主要在朝前的小角度区发射。