搜索结果: 1-5 共查到“知识要闻 半导体技术 CMOS”相关记录5条 . 查询时间(0.034 秒)
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展(图)
纳米 器件 集成电路
2023/10/16
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等关键挑战,对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此,针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展(图)
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/10/7
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎(图)
CMOS 数据转换器
2023/8/4
北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇教授课题组在《科学》发表5nm碳纳米管CMOS器件研究成果(图)
北京大学信息科学技术学院 彭练矛-张志勇教授课题组 科学 5nm碳纳米管 CMOS器件 集成电路
2017/1/20
集成电路发展的基本方式在于,在晶体管尺寸缩减的前提下,研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前,主流CMOS(互补金属氧化物半导体)技术将达到10 nm(纳米)的技术节点,后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升,“摩尔定律”可能面临终结。20多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,以期替代硅基CMOS技术,然而迄今为止,尚未实现10 nm新型CMO...